[实用新型]一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构

权利要求书

1.一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，包括：

第一引线框架和第二引线框架，

所述第一引线框架包括：

第一芯片座，用于倒装第一芯片，封装时，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接；

至少一个第一芯片栅极管脚，用于连接所述第一芯片的栅极；

第二芯片座，用于正装第二芯片，封装时，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接；

至少一个第二芯片漏极管脚，所述第二芯片漏极管脚与所述第二芯片座连接；

至少一个第二芯片栅极管脚，用于连接所述第二芯片的栅极；

第一引线框架外框，所述第一芯片座和所述第二芯片座分别通过至少一个连杆与所述第一引线框架外框连接，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚和所述第二芯片栅极管脚分别与所述第一引线框架外框连接，

所述第二引线框架包括：

铜桥，封装时，所述第二引线框架叠放在所述第一引线框架上，且所述铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

至少一个第二引线框架管脚，所述第二引线框架管脚与所述铜桥连接；

第二引线框架外框，所述第二引线框架管脚与所述第二引线框架外框连接。

2.根据权利要求1所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，所述铜桥边缘设置有至少一个测量观测孔。

3.根据权利要求2所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，所述测量观测孔内侧的铜桥上设置有至少一个溢流孔。

4.根据权利要求1-3任一所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片座上开设有一切口，所述第一芯片栅极管脚延伸至所述切口处。

5.根据权利要求4所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、第一芯片座和第二芯片座的下表面均在同一平面上。

6.根据权利要求5所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、第一芯片座和第二芯片座的上表面均在同一平面上。

7.根据权利要求5或6所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，其特征在于，所述第二引线框架管脚靠近所述铜桥的部分向内弯曲，使得当所述第二引线框架叠放在所述第一引线框架上时，所述第二引线框架管脚的下表面与所述第一芯片栅极管脚的下表面在同一平面上。