[实用新型]超低功耗的时钟系统

权利要求书

1.一种时钟系统，所述系统包括：

驱动器，和晶体构成晶体振荡器；

数字整形单元，将晶体振荡器输出的模拟信号整形成数字时钟信号；

低压产生器，产生幅度低于电源电压(VDD)的第一电压(LVDD)，并且以该第一电压给数字整形单元供电；

电平平移单元，将数字整形单元输出的幅度为第一电压(LVDD)的数字时钟信号转为幅度为电源电压的数字时钟信号。

2.如权利要求1所述的时钟系统，其中低压产生器包括连接成二极管结构的至少两个MOS管，所述至少两个MOS管彼此串联并且采用电流源驱动。

3.如权利要求2所述的时钟系统，其中所述至少两个MOS管包括一个PMOS管和一个NMOS管。

4.如权利要求2所述的时钟系统，其中低压产生器包括第五NMOS管和第六NMOS管，第五NMOS管连接在电流源和所述至少两个MOS管之间，第六NMOS管的栅极连接在第五NMOS管的漏极，漏极连接在电源电压，源极提供第一电压。

5.如权利要求1所述的时钟系统，其中低压产生器包括PMOS管(P4)和NMOS管(N4)；其中，电源电压通过电流源驱动PMOS管和NMOS管；NMOS管的源极接地，漏极和PMOS管的漏极相连，栅极和PMOS管的源 极相连且接至电流源，PMOS管的栅极接地；PMOS管的源极提供低电压。

6.如权利要求1所述的时钟系统，其中低压产生器包括PMOS管(P5)、第一NMOS管(N51)、第二NMOS管(N52)和第三NMOS管(N53)；其中，电源电压通过电流源和第二NMOS管驱动PMOS管和第一NMOS管；第一NMOS管的源极接地，漏极和PMOS管的漏极相连，栅极和PMOS管的源极相连且接至第NMOS管的源极；PMOS管的栅极接地，第二NMOS管(N52)连接成二极管结构，且连接在电流源(IB)和PMOS管(P5)的源极之间；第三NMOS管(N53)的栅极和第二NMOS管(N52)的漏极相连，漏极连接在电源电压端，源极提供低电压。

7.如权利要求1所述的时钟系统，其中数字整形单元采用具有反相功能的共源放大电路和整形链串接组成。

8.如权利要求1所述的时钟系统，其中第一电压(LVDD)的范围小于等于PMOS管的开启电压与NMOS管的开启电压之和(V_THN+V_THP)，同时要大于PMOS管的开启电压与NMOS管的开启电压两者的最大值(MAX(V_THN，V_THP))。