[实用新型]一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器

权利要求书

1.一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，包括热沉、激光芯片、正极连接片、负极连接片、绝缘板A、绝缘板B、绝缘垫层，其特征在于：绝缘板A、绝缘板B和绝缘垫层分别设置在热沉的一个侧面上，绝缘板A、绝缘板B分别设置在热沉侧面的两端位置，所述的绝缘垫层设置在绝缘板A和绝缘板B相对应的中间位置；绝缘板A、绝缘板B和绝缘垫层三者本体为绝缘材料；所述的正极连接片设置在绝缘板A上，所述的负极连接片设置在绝缘板B上；所述的绝缘垫层表面镀有导电金属层；所述的绝缘垫层中与热沉接触面的相对表面上设置芯片设置区和电极连接区，所述的电极连接区与芯片设置区之间绝缘未设置导电金属层，激光芯片设置在芯片设置区，芯片设置区通过金属导线与正极连接片进行连接，电极连接区的一端通过金属导线与激光芯片负极进行连接，另一端通过金属导线与负极连接片进行连接。

2. 一种热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，包括热沉、激光芯片、正极连接片、负极连接片、绝缘垫层，其特征在于：绝缘垫层设置在热沉的一个侧面上，表面镀有导电金属层，所述的绝缘垫层中与热沉接触面的相对表面上设置芯片设置区和电极连接区，所述的电极连接区与芯片设置区之间绝缘未设置导电金属层，所述激光芯片设置在芯片设置区的一端，所述的正极连接片设置在芯片设置区的另一端，所述的负极连接片设置在电极连接区的一端，电极连接区的另一端通过金属导线与激光芯片的负极进行连接。

3.  根据权利要求1所述的热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述的绝缘板A的材料为氧化铍、氧化铝、氮化铝或者金刚石；绝缘板B的材料为氧化铍、氧化铝、氮化铝或者金刚石；绝缘垫层的材料为氧化铍、氧化铝、氮化铝或者金刚石。

4. 根据权利要求2所述的热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：绝缘垫层的材料为氧化铍、氧化铝、氮化铝或者金刚石。

5.根据权利要求1或2所述的热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述的导电金属层为金层。

6.根据权利要求1或2所述的热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述的金属导线为金线。

7.根据权利要求1或2所述的热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述的热沉的材料为铜、铜钨或者铜-金刚石复合材料。

8.根据权利要求1或2所述的热沉绝缘的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述的激光芯片为单发光单元激光芯片或多发光单元激光芯片。