[实用新型]功率元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体元件，具体地，涉及一种功率元件。

背景技术

铝硅接口刺穿(spike)对元件的损害已经成为的半导体工艺的良率和可靠度问题之一，现有技术中没有能够有效抑制铝硅接口刺穿的技术。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种功率元件，其可抑制铝硅接口刺穿的问题，从而不对功率元件造成损害。

根据本实用新型的一个方面，提供一种功率元件，其特征在于，包括氧化层、多晶硅栅层、绝缘层、金属层、第一护层、第二护层、P型阱、N+掺杂层、P+掺杂层、衬底、凹槽，P型阱位于衬底的上方，氧化层、多晶硅栅层、N+掺杂层、P+掺杂层都位于绝缘层和P型阱之间，第一护层位于金属层和第二护层之间，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中。

优选地，所述衬底的材料为硅。

优选地，所述金属层的材料是铝。

优选地，所述第一护层的材料为非晶硅。

优选地，所述第二护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

优选地，所述衬底的厚度大于P型阱的厚度。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：本实用新型可抑制铝硅接口刺穿的问题，从而不对功率元件造成损害。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型形成第一护层后的结构示意图。

图2为本实用新型形成第二护层后的结构示意图。

图3为本实用新型形成凹槽后的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

如图1至图3所示，本实用新型功率元件包括氧化层1、多晶硅栅层2、绝缘层3、金属层4、第一护层5、第二护层6、P型阱7、N+掺杂层8、P+掺杂层9、衬底10、凹槽11，P型阱7位于衬底10的上方，氧化层1、多晶硅栅层2、N+掺杂层8、P+掺杂层9都位于绝缘层3和P型阱7之间，第一护层5位于金属层4和第二护层6之间，凹槽11穿过第一护层5、第二护层6后延伸到金属层4中。

衬底的材料可以为硅。金属层的材料可以是铝。第一护层的材料为非晶硅。第二护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。衬底10的厚度大于P型阱7的厚度，这样增加稳定性。

第一护层具导电特性且沉积于金属层之上，第二护层具绝缘特性且沉积于第一护层之上，通过第一护层提供金属铝的硅浓度，可抑制铝硅接口刺穿的问题，从而不对功率元件造成损害。另外，通过第一型护层的导电特性，可以均匀局部电荷，改善组件因局部高电场崩溃的问题。第二护层通过第一层护层提供金属铝的硅浓度，抑制铝硅接口刺穿的问题，从而不对功率元件造成损害。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。