[实用新型]一种硅片清洗槽有效
| 申请号: | 201420703272.3 | 申请日: | 2014-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN204289404U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
| 发明(设计)人: | 刘彬国;何京辉;李立伟;张立涛;张稳 | 申请(专利权)人: | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/12 |
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
| 地址: | 054001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片清洗技术领域。
背景技术
太阳能是最大的无污染的可再生资源,取之不尽、用之不竭,是今后人类能源利用的重点之一。自上世纪末以来, 随着全世界对能源消耗的剧增,传统能源枯竭的威胁,以及多晶硅、 单晶硅发电技术的发展,太阳能光伏产业方兴未艾。
随着太阳能级单晶硅片的发展,客户对硅片质量的要求越来越严苛,硅片表面洁净度直接影响着硅片的转换效率,所以客户对硅片表面质量要求越发的严格。此外随着切割工艺的调整,切割中使用的砂浆不断的回收使用,造成砂浆在硅片表面附着较强,清洗较为困难,导致氧化片频繁产生,就此情况特对目前的清洗设备进行完善和提高。
为解决上述问题,现在在硅片进入清洗线之前添加了一个硅片清洗槽,提前对硅片进行清洗。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅片清洗槽,该装置利用超声波震动对硅片表面的杂质进行清洗,可有效清除硅片表面附着的砂浆等物质,操作简单快捷。
为解决上述问题本实用新型采取的技术方案是:一种硅片清洗槽,所述清洗槽为长方体形状,在清洗槽的上部设有进水口和溢流口,所述溢流口的高度低于进水口的高度,所述清洗槽的槽底板为可震动的钢板,所述钢板的外侧底面上连接有超声波换能器。
优选的,所述清洗槽的槽底还设有排水口。
优选的,所述清洗槽的槽宽1.2米,长1.8米,槽内深度为20厘米,优选的,所述溢流口距离槽顶口的距离为2厘米。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:硅片清洗线在清洗硅片的时候不够直观,不能够对硅片的清洗情况进行观察,而且清洗效果不是很理想,所以在硅片进入到清洗线之前,添加了一个清洗槽,清洗槽内装满水,并且为流动的水,可通过进水口和溢流口不断的进行进水和出水,使清洗槽内的水循环起来,硅片放在塑料花篮中,然后手持塑料花篮将其放到清洗槽的槽底板上,开启与槽底相连接的超声波转换器,产生超声波,槽内的水在钢板的震动下随之震动,超声波清洗可有效去除硅片表面的砂浆等杂质,并且可通过人眼直接对清洗情况进行观测,较直观,所以本装置清洗效果好,操作简单方便,十分实用。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:
图1 本实用新型的结构示意图。
其中,1、清洗槽,2、进水口,3、溢流口,4、钢板,5、超声波换能器,6、排水口。
具体实施方式
如图1所示:一种硅片清洗槽,清洗槽1为长方体形状,在清洗槽1的上部设有进水口2和溢流口3,所述溢流口3的高度低于进水口2的高度,所述清洗槽1的槽底板为可震动的钢板4,所述钢板4的外侧底面上连接有超声波换能器5。所述清洗槽1的槽底还设有排水口6。所述清洗槽1的槽宽1.2米,长1.8米,槽内深度为20厘米,所述溢流口3距离槽顶口的距离为2厘米。
该清洗装置首先利用的是超声波进行清洗,利用超声波换能器5产生超声波,通过钢板4使槽内的水共振,对置于塑料花篮且浸泡在水中的硅片表面进行清洗,清洗效果显著。
硅片清洗线在清洗硅片的时候不够直观,不能够对硅片的清洗情况进行观察,而且清洗效果不是很理想,所以在硅片进入到清洗线之前,添加了一个清洗槽1,清洗槽1内装满水,并且为流动的水,可通过进水口2和溢流口3不断的进行进水和出水,使清洗槽1内的水循环起来,硅片放在塑料花篮中,然后手持塑料花篮将其放到清洗槽1的槽底板上,开启与槽底相连接的超声波转换器5,产生超声波,槽内的水在钢板4的震动下随之震动,超声波清洗可有效去除硅片表面的砂浆等杂质,并且可通过人眼直接对清洗情况进行观测,较直观,所以本装置清洗效果好,操作简单方便,十分实用。
综上所述:该装置利用超声波震动对硅片表面的杂质进行清洗,可有效清除硅片表面附着的砂浆等物质,操作简单快捷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





