[实用新型]一种硅片清洗槽有效
| 申请号： | 201420703272.3 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN204289404U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘彬国;何京辉;李立伟;张立涛;张稳 | 申请（专利权）人： | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/12 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 054001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片清洗槽，其特征是：所述清洗槽（1）为长方体形状，在清洗槽（1）的上部设有进水口（2）和溢流口（3），所述溢流口（3）的高度低于进水口（2）的高度，所述清洗槽（1）的槽底板为可震动的钢板（4），所述钢板（4）的外侧底面上连接有超声波换能器（5）。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗槽，其特征是：所述清洗槽（1）的槽底还设有排水口（6），所述超声波换能器（5）的数量为3个。
3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗槽，其特征是：所述清洗槽（1）的槽宽1.2米，长1.8米，槽内深度为20厘米，所述溢流口（3）距离槽顶口的距离为2厘米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
