[实用新型]半导体芯片分向测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体晶圆制造领域，特别是涉及一种半导体芯片分向测试装置。

背景技术

随着半导体晶圆工艺的发展，为了满足晶圆切割后的芯片的电特性筛选的需求，往往要用到芯片分选设备。然而半导体芯片的P面(这里假设P面为有玻璃的台面)相对N面的焊接面积小的多，芯片分选时如果P面朝下，则芯片被转移至测试座上的时候易导致芯片滑落、倾斜等现象，此时测试针接触芯片时易对倾斜的芯片造成机械压伤，并且对测试针也造成一定程度的损伤。如果要降低此类现象的出现，则需要手工将待测试的晶粒全部P面朝上摆正，但是这样会浪费大量的时间，降低了生产效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种半导体芯片分向测试装置，使被检测芯片有选择性的摇出所述半导体芯片分向测试装置，分向速度快，准确度高，对所述被检测芯片的损伤小，甚至不会对所述被检测芯片造成损伤。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体分向测试装置，包括：

底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；

真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。

优选的，所述放置槽的深度范围是150um-200um。

优选的，所述放置槽的水平截面的形状是正多边形或圆形。

优选的，所述第二通孔位于所述底座的侧壁或所述底座的下表面。

优选的，所述底座为空心底座，所述底座是由所述底座的上表面、所述底座的下表面和所述底座的侧壁包围组成的。

优选的，当所述底座的侧壁高于所述底座的上表面时，所述底座的侧壁还具有第三通孔，所述第三通孔用于未被吸附的被测芯片滑出。

优选的，所述底座的上表面的形状是正多边形或圆形。

优选的，所述放置槽的剖面为梯形。

优选的，所述底座的上表面为矩形时，所述矩形的长边的长度范围是50cm-60cm，宽边的长度范围是20cm-30cm。

本实用新型所提供的半导体芯片分向测试装置与现有技术相比，具有以下优点：

本实用新型所提供的半导体分向测试装置，包括：底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，所述放置槽的深度不大于被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。

使用所述半导体芯片分向测试装置时，将需要分选的被检测的芯片铺盖在所述底座的上表面，摇动所述底座，使所述被检测芯片尽可能地落入其附近的位置槽中，开启真空泵，降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压，摇动所述底座，尽可能的使所述底座的上表面与水平面平行，使得被检测芯片尽可能的被其附近的所述放置槽吸附，然后倾斜所述底座，倒出未被吸附的被检测芯片。由于被所述放置槽吸附的被检测芯片的朝向不同，被检测芯片的P面相对N面的焊接面积小。当所述放置槽中的真空度相同时，所述放置槽对所述P面朝下和N面朝下的被检测芯片的吸附力不同，同时所述P面朝上的被检测芯片的重心更低，因此，所述P面朝上的被检测芯片更容易被吸附到其附近的所述放置槽。倾斜所述底座时，由于所述P面朝下的被检测芯片，相比所述N面朝下的被检测芯片受到的吸附力更低，其重心更高，很容易脱离其先前所处的所述放置槽，进入所述空心底座的上表面，在重力的作用下，滑出所述底座的上表面，从而达到分向的目的。

综上所述，可知本实用新型所提供半导体分向测试装置，不增加新的部件，利用较浅的放置槽对在其附近的被测芯片的不同面的吸力的不同，留下P面朝上的芯片，筛选掉P朝下的被测芯片，从而达到了分向的目的。由于筛选时，只需将被检测芯片放置到所述底座的上表面，以及摇动所述底座，不用人工分选，因此所述半导体分向测试装置操作简单，分向速度快，准确度高，因为所述被检测芯片的重量较轻，只要不受外力的机械压迫，一般不会受到明显的损伤，甚至不会对所述被测芯片造成损伤。

附图说明

图1为本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置的一种具体实施方式的示意图；