[实用新型]半导体芯片分向测试装置

权利要求书

1.一种半导体分向测试装置，其特征在于，包括：

底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；

真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。

2.如权利要求1所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述放置槽的深度范围是150um-200um。

3.如权利要求1或2所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述放置槽的水平截面的形状是正多边形或圆形。

4.如权利要求1或2所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述第二通孔位于所述底座的侧壁或所述底座的下表面。

5.如权利要求1或2所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述底座为空心底座，所述底座是由所述底座的上表面、所述底座的下表面和所述底座的侧壁包围组成的。

6.如权利要求5所述的半导体分向测试装置，其特征在于，当所述底座的侧壁高于所述底座的上表面时，所述底座的侧壁还具有第三通孔，所述第三通孔用于未被吸附的被测芯片滑出。

7.如权利要求1所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述底座的上表面的形状是正多边形或圆形。

8.如权利要求1所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述放置槽的剖面为梯形。

9.如权利要求1或7所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述底座的上表面为矩形时，所述矩形的长边的长度范围是50cm-60cm，宽边的长度范围是20cm-30cm。