[实用新型]一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构有效
| 申请号： | 201420688050.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN204342915U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王林;娄中士;王淼;刘一波;李亚哲;张雪囡;崔敏 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 提高 直拉硅单晶 生长 速度 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构，包括炉体、炉盖、位于炉体内部的坩埚、位于炉体内且位于坩埚外的加热装置、位于炉体内且位于加热装置外的保温装置、位于保温装置内部且位于坩埚上部的导流筒和位于导流筒内部且位于坩埚上方的单晶棒提升区域，其特征在于：还包括水冷套和水冷套外吸收层，所述水冷套为空心圆柱形结构，所述水冷套设置在导流筒和单晶棒提升区域之间，所述水冷套外吸收层与水冷套紧密贴合。
2.根据权利要求1所述的一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构，其特征在于：所述水冷套外吸收层还包括内吸收层和外吸收层，所述内吸收层和外吸收层均为筒状结构，所述内吸收层与水冷套内壁紧密贴合，所述外吸收层与水冷套外壁紧密贴合。
3.根据权利要求1或2任一项所述的一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构，其特征在于：还包括炉盖内吸收层，所述炉盖内吸收层与炉盖内壁紧密贴合。
4.根据权利要求3所述的一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构，其特征在于：所述水冷套外吸收层和炉盖内吸收层均为高吸收系数材料。
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