[实用新型]一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池有效
申请号: | 201420655141.2 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204189801U | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 马给民 | 申请(专利权)人: | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0725 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 侯蔚寰 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖高新技*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双节型钙钛矿 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,具体的说是涉及一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池。
背景技术
现有的薄膜太阳能电池,包括铜铟镓硒( CIGS)薄膜光伏太阳能电池,材料成本比一般晶体硅太阳能电池要低,但某些薄膜生产结构过于复杂,使总制造成本较高,无法商品化。
到目前为止,一般薄膜太阳能制造厂家的生产成本,尚未能低于煤油发电的生产成本,阻碍薄膜太阳能进入商品化生产;而平均转换率方面,也只能接近晶体硅,或略略低于晶体硅 ,有待进一步提高。
一般钙钛矿太阳能电池,使用几百钠米,有或无介孔支架的吸收层,夹心在电子(ETL)及孔穴(HTL)传递层;当吸收层采钠到光子时,吸收层载体传送电荷及孔穴至正负电极的两个端头;要加大转换效率,需正确处理好载体经过的每个界面,按能量下滑功能函数,优化每个界面层,包括:透明前电极层,二氧化钛支架层,钙钛矿吸收层,及透明螺二甲氧基苯基孔穴传送层等。
有关孔穴传送层(HTL),由于此材料昂贵,并严重影响电池的寿命,我们另一种做法是除掉一般介孔甲胺碘铅(mesoscopic CH3NH3PbI3/TiO2)钙钛矿太阳能电池常用的孔穴传送层(HTL),这里我们使用甲胺碘(CH3NH3I)和二化碘铅(PbI2)溶液沉积在二氧化钛(TiO2)支架层;使甲胺碘铅钙钛层(CH3NH3PbI3)同时有光子吸收及孔穴传递两种功能。
实用新型内容
针对现有技术中的不足,本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池。
为解决上述技术问题,本实用新型通过以下方案来实现:
一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,它包括:
上层的钙钛矿层,所述钙钛矿层包括依次层压在一起的上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层;
下层的铜铟镓硒层,所述铜铟镓硒层包括依次层压在一起的氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、铜铟镓硒吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层。
进一步的,所述钙钛矿层与铜铟镓硒层两个节层重叠,中间设置有透明的绝缘层。
进一步的,所述钠钙玻璃基层的厚度在1~4mm之间。
进一步的,所述钼导电层为钼薄膜,其厚度在0.35~1微米之间。
进一步的,所述铜铟镓硒吸收层为1.0 微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜或1.0 微米标准厚度的铜铟镓硒的晶体,所述铜铟镓硒吸收层的上层表面,将形成带“p-n 结”薄膜区域。
进一步的,所述硫化镉层为0.05 微米厚的硫化镉层。
进一步的,所述氧化锌层为0.1微米厚的绝缘层。
进一步的,所述氧化锌掺铝导电层为0.35 微米厚的导电透明层,在其上表面设置有0.05微米厚的第一镍层,用于加强表面层导电率的导电网格。
进一步的,所述第一镍层上表面设置有3.0 微米厚的铝膜层,该铝膜层为最上一层的导电网格,在其上表面覆有0.05 微米厚的第二镍层,该第二镍层用于保护铝膜层。
进一步的,所述第二镍层上设置有1.0~4.0 毫米厚或3.2 毫米标准厚度的钠钙覆盖玻璃层。
相对于现有技术,本实用新型的有益效果是:
1.双节钙钛矿、铜铟镓硒能加宽光谱的吸收,使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子,能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收,转换率能超过30%。
2.适合批量生产。
3.高转换率。
附图说明
图1为本实用新型太阳能电池结构示意图。
图2为本实用新型铜铟镓硒层横截面示意图。
附图中标记:上层的钙钛矿层1;下层的铜铟镓硒层2;上透明导电层11;钙钛矿吸收层12;下透明导电层13;氧化锌掺铝导电层21;氧化锌层22;硫化镉薄膜层23;铜铟镓硒吸收层24;钼导电层25;钠钙玻璃基层26;第一镍层27;铝膜层28;第二镍层29;钠钙覆盖玻璃层30。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型的技术方案进行详细的阐述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的