[实用新型]一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池有效
| 申请号: | 201420655141.2 | 申请日: | 2014-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN204189801U | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
| 发明(设计)人: | 马给民 | 申请(专利权)人: | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0725 |
| 代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 侯蔚寰 |
| 地址: | 523808 广东省东莞市松山湖高新技*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双节型钙钛矿 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
1.一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池, 其特征在于,它包括: 上层的钙钛矿层(1),所述钙钛矿层(1)包括依次层压在一起的上透明 导电层(11)、钙钛矿吸收层(12)、下透明导电层(13); 下层的铜铟镓硒层(2),所述铜铟镓硒层(2)包括依次层压在一起的氧 化锌掺铝导电层(21)、氧化锌层(22)、硫化镉薄膜层(23)、铜铟镓硒吸收 层(24)、钼导电层(25)、钠钙玻璃基层(26)。
2.根据权利要求 1 所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特 征在于:所述钙钛矿层(1)与铜铟镓硒层(2)两个节层重叠,中间设置有透 明的绝缘层。
3.根据权利要求 1 所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特 征在于:所述钠钙玻璃基层(26)的厚度在 1~4mm 之间。
4.根据权利要求 1 所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特 征在于:所述钼导电层(25)为钼薄膜,其厚度在 0.35~1 微米之间。
5.根据权利要求 1 所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特 征在于:所述铜铟镓硒吸收层(24)为 1.0 微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜或 1.0 微米标准厚度的铜铟镓硒的晶体,所述铜铟镓硒吸收层(24)的上层表面, 将形成带“p-n 结”薄膜区域(2401)。
6.根据权利要求 1 所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其 特征在于:所述硫化镉层(23)为 0.05 微米厚的硫化镉层。
7.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述氧化锌层(22)为0.1微米厚的绝缘层。
8.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述氧化锌掺铝导电层(21)为0.35 微米厚的导电透明层,在其上表面设置有0.05微米厚的第一镍层(27),用于加强表面层导电率的导电网格。
9.根据权利要求 8所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特 征在于:所述第一镍层(27)上表面设置有 3.0 微米厚的铝膜层(28),该铝 膜层为最上一层的导电网格,在其上表面覆有 0.05 微米厚的第二镍层(29), 该第二镍层(29)用于保护铝膜层(28)。
10.根据权利要求9所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其 特征在于:所述第二镍层(29)上设置有 1.0~4.0 毫米厚或 3.2 毫米标准厚 度的钠钙覆盖玻璃层(30)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





