[实用新型]冶金多晶硅太阳能电池片及太阳能电池板

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能利用技术领域，特别涉及一种冶金多晶硅太阳能电池片及具有该冶金多晶硅太阳能电池片的太阳能电池板。

背景技术

物理冶金多晶硅提纯技术，具有提纯产能大、生产工艺简单、提纯工艺与环境友好等优点。经过近十年的努力，此技术得到明显的改善。据掌握的资料看，用物理冶金技术提纯的多晶硅纯度已达到6.0N-6.5N级，已有企业小批量生产。

物理冶金法提纯多晶硅，利用冶金法的技术，可直接把硅中的基硼提纯到太阳能级硅的水平。提纯过程不发生化学反应,所以与化学法提纯硅相比，基硼的浓度稍高，金属和过渡金属杂质含量也高些，造成提纯的多晶硅少子寿命较低，制作出的电池效率较低而漏电流较大。

图1为常规的原始多晶硅硅片的结构示意图，多晶硅硅片101的表面只有自然生长的很薄的氧化层102。图2为经过磷吸杂后的多晶硅硅片的结构示意图，经过磷吸杂过程的高温处理后，多晶硅硅片201的表面生长了一层较厚的含磷的二氧化硅层202(俗称硅玻璃层)，二氧化硅层202还含有大量的杂质如铜、铁和铝等，结构及成分都发生了变化。

用常规酸液腐蚀对经过磷吸杂的物理冶金多晶硅片进行表面制绒时，由于工艺不匹配则会产生不良的效果，如表面腐蚀产生的凹坑分布不均、腐蚀坑深度明显不同等，从而导致制得的太阳能电池片表面陷光效果较差，电池短路电流、光电转换效率都减小，而反向漏电流增大，物理冶金多晶硅电池片的整体合格率较低。经测试，这样制得的硅片的表面反射率高达27.0％以上。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种冶金多晶硅太阳能电池片，以解决现有技术中太阳能电池片存在的表面反射率高及表面陷光效果较差的技术问题。

本实用新型的另一目的在于提供具有本实用新型冶金多晶硅太阳能电池片的一种太阳能电池板。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种冶金多晶硅太阳能电池片，所述冶金多晶硅太阳能电池片的一个表面为腐蚀制绒所成的绒面，所述绒面具有多个腐蚀坑，所述多个腐蚀坑的深度各自为3.0～3.6μm，长度各自为4.94～6.63μm。

在本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片的一个实施方式中，所述多个腐蚀坑的宽度各自为1.41～1.43μm。

在本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片的另一个实施方式中，所述冶金多晶硅太阳能电池片的表面反射率为24％-25.6％。

在本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片的另一个实施方式中，所述冶金多晶硅太阳能电池片的硅片为冶金法提纯的多晶硅硅片。

在本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片的另一个实施方式中，所述冶金多晶硅太阳能电池片的硅片为经过中高温磷吸杂处理后的冶金多晶硅片。

本实用新型的太阳能电池板内，封装有本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片。

本实用新型的有益效果在于，本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片，结合了冶金多晶硅自身的特点及相应的制绒工艺，使耐腐蚀的冶金多晶硅腐蚀出质量较高的绒面，多晶硅片表面腐蚀形成均匀适中的腐蚀凹坑，制得的太阳能电池片表面陷光结构良好，外观均匀且表面反射率低，降低了反向漏电流，同时提高了太阳能电池片的光电转换效率。

附图说明

图1为原始多晶硅硅片的结构示意图；

图2为经过磷吸杂后的多晶硅硅片的结构示意图；

图3为经过腐蚀制绒后的多晶硅硅片的结构示意图；

图4为本实用新型的多晶硅硅片的表面SEM图；

图5为本实用新型的多晶硅硅片的表面SEM图。

其中，附图标记说明如下：

101、201、301：多晶硅

102：原始氧化层

202：经过磷吸杂后的氧化层

302：腐蚀坑

具体实施方式

下面根据具体实施例对本实用新型的技术方案做进一步说明。本实用新型的保护范围不限于以下实施例，列举这些实例仅出于示例性目的而不以任何方式限制本实用新型。

本实用新型实施例的太阳能电池板，封装有本实用新型实施例的冶金多晶硅太阳能电池片。但本实用新型的冶金多晶硅太阳能电池片的应用并不限于太阳能电池板，而可以应用到其他太阳能电池制品上。

下面具体介绍本实用新型优选实施例的冶金多晶硅太阳能电池片。