[实用新型]冶金多晶硅太阳能电池片及太阳能电池板有效
| 申请号： | 201420650161.0 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN204167329U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 和江变;李健;马承鸿;宗灵仑;冯国江 | 申请（专利权）人： | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;乔彬 |
| 地址： | 010111 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 冶金 多晶 太阳能电池 太阳能 电池板 | ||
【权利要求书】：
1.一种冶金多晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太阳能电池片的一个表面为腐蚀制绒所成的绒面，所述绒面具有多个腐蚀坑，所述多个腐蚀坑的深度为3.0～3.6μm，长度为4.94～6.63μm。
2.根据权利要求1所述的冶金多晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述多个腐蚀坑的宽度为1.41～1.43μm。
3.根据权利要求1所述的冶金多晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太阳能电池片的表面反射率为24％-25.6％。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的冶金多晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太阳能电池片的硅片为冶金法提纯的多晶硅硅片。
5.根据权利要求4所述的冶金多晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太阳能电池片的硅片为经过中高温磷吸杂处理后的冶金多晶硅片。
6.一种太阳能电池板，其特征在于，所述太阳能电池板内封装有权利要求1-5中任一所述的冶金多晶硅太阳能电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
