[实用新型]双光电二极管裸封结构

说明书

技术领域

    本实用新型涉及一种高精度加速度计，尤其涉及一种双光电二极管裸封结构。

背景技术

    加速度计是工程领域中的常用装置，双光电二极管是其中的重要器件，随着技术的进步，工程领域对加速度计的精度、体积要求也越来越高，缩减加速度计体积的先决条件是缩减其内部器件的体积；现有用于的加速度计的双光电二极管一般采用独立封装结构，结构中除了含有双光电二极管外还包括了封装壳体，这种结构不仅较为复杂，而且封装壳体要占用相当一部分体积，另外，现有的双光电二极管中的光电二极管一般先独立制作然后再将两个光电二极管拼接起来，不仅工艺较为复杂，而且由于两个光电二极管生长于不同衬底上，两个光电二极管电学参数的均一性较差。

实用新型内容

针对背景技术中的问题，本实用新型提出了一种双光电二极管裸封结构，其改进在于：所述双光电二极管裸封结构由陶瓷基片和两块硅芯片组成；所述硅芯片通过树脂粘结在陶瓷基片的同侧面上，两块硅芯片之间留有间隙。

本实用新型的原理是：不对双光电二极管进行单独封装，直接将其设置在加速度计内，最后与其他器件一起被加速度计的壳体封装在内；当取消了双光电二极管的独立壳体后，基于现有的芯片工艺极限，双光电二极管的体积可以缩小40%左右，十分利于加速度计体积的进一步小型化。

优选地，所述两块硅芯片由形成于同一衬底层上的一块母片经物理解理而成，物理解理的深度达到陶瓷基片表面，物理解理后所形成的空隙即为所述间隙。采用这种方案得到的双光电二极管，由于其生长于同一衬底层上，两个光电二极管电学参数的均一性较好，可以使加速度计的性能得到改善。

优选地，所述两块硅芯片采用串联或并联方式连接。

优选地，所述双光电二极管裸封结构的外形呈立方体形，其长、宽、高分别为2mm、0.75mm、1mm，所述间隙与宽度方向平行。

优选地，所述双光电二极管裸封结构通过其陶瓷基片设置于高精度加速度计壳体内。

本实用新型的有益技术效果是：可以进一步缩减加速度计内部器件的尺寸，利于加速度计体积的进一步小型化。

附图说明

图1、本实用新型的结构示意图一（侧视）；

图2、本实用新型的结构示意图二（俯视）；

图3、本实用新型作解理处理前的结构示意图（图中视觉方向与图1相同）；

图中各个标记所对应的名称分别为：陶瓷基片1、硅芯片2、母片3、树脂粘结层4。

具体实施方式

一种双光电二极管裸封结构，所述双光电二极管裸封结构由陶瓷基片1和两块硅芯片2组成；所述硅芯片2通过树脂粘结在陶瓷基片1的同侧面上，两块硅芯片2之间留有间隙。

进一步地，所述两块硅芯片2由形成于同一衬底层上的一块母片3经物理解理而成，物理解理的深度达到陶瓷基片1表面，物理解理后所形成的空隙即为所述间隙。

进一步地，所述两块硅芯片2采用串联或并联方式连接。

进一步地，所述双光电二极管裸封结构的外形呈立方体形，其长、宽、高分别为2mm、0.75mm、1mm，所述间隙与宽度方向平行。

进一步地，所述双光电二极管裸封结构通过其陶瓷基片1设置于高精度加速度计壳体内。