[实用新型]双光电二极管裸封结构有效
| 申请号： | 201420635690.3 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN204118055U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王波;向勇军;凌茂真;向荣珍 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种双光电二极管裸封结构，其特征在于：所述双光电二极管裸封结构由陶瓷基片（1）和两块硅芯片（2）组成；所述硅芯片（2）通过树脂粘结在陶瓷基片（1）的同侧面上，两块硅芯片（2）之间留有间隙。
2.根据权利要求1所述的双光电二极管裸封结构，其特征在于：所述两块硅芯片（2）由形成于同一衬底层上的一块母片（3）经物理解理而成，物理解理的深度达到陶瓷基片（1）表面，物理解理后所形成的空隙即为所述间隙。
3.根据权利要求1所述的双光电二极管裸封结构，其特征在于：所述两块硅芯片（2）采用串联或并联方式连接。
4.根据权利要求1所述的双光电二极管裸封结构，其特征在于：所述双光电二极管裸封结构的外形呈立方体形，其长、宽、高分别为2mm、0.75mm、1mm，所述间隙与宽度方向平行。
5.根据权利要求1所述的双光电二极管裸封结构，其特征在于：所述双光电二极管裸封结构通过其陶瓷基片（1）设置于高精度加速度计壳体内。
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