[实用新型]硅片清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片清洗装置。

背景技术

硅片清洗是半导体制造中最重要、最频繁的的步骤之一。目前对硅片的清洗，以单片湿法化学清洗为主，其方法为：使用卡盘机构夹持硅片旋转，同时使用不同的喷淋臂在硅片表面喷洒不同的清洗介质，对硅片进行清洗；同时，使用环状的工艺腔体对清洗介质进行收集；最后，借助氮气或者其它介质甩干硅片。但是在清洗硅片时硅片周围的气流紊乱容易造成硅片的污染、，影响硅片的质量。

因此，针对以上不足，需要提供一种腔体内部气流稳定、流场良好的硅片清洗装置。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：解决现有技术中因硅片清洗装置的下腔体内气流紊乱而导致的硅片背面污染的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅片清洗装置，包括：下腔体；卡盘机构，位于所述下腔体内，所述卡盘机构用于支撑并固定待清洗的硅片；旋转驱动机构，所述旋转驱动机构为环形定子，其通电后与卡盘基座动子之间产生变化的磁场，驱动卡盘机构旋转；喷嘴，所述喷嘴向待清洗的硅片表面喷洒清洗介质，对待清洗的硅片进行清洗；其特征在于：所述下腔体的内部设置有通风机构，所述通风机构位于所述卡盘机构的下侧，所述通风机构包括透气腔体和遮挡部，所述透气腔体为环形，其上侧的腔壁上设置有透气孔；所述遮挡部位于所述透气孔的上侧并覆盖所述透气孔，且所述遮挡部与透气腔体之间设有间隙；所述透气腔体的腔壁上还设置有排气管，所述排气管的上表面高于所述透气腔体的底壁。

其中，所述下腔体的底壁上开设有第一排液口、所述透气腔体的底壁上开设有第二排液口，进入下腔体内的清洗介质通过所述第一排液口和/或所述第二排液口排出。

其中，所述硅片清洗装置还包括清洗介质收集机构，所述清洗介质收集机构为上端开口环形的工艺腔体，所述工艺腔体设置有多个。

具体地，所述工艺腔体设置有两个，分别为第一腔体和第二腔体，所述第二腔体位于所述第一腔体的外侧，所述第二腔体的外侧还开设有排气孔。

优选地，所述第一腔体内壁的上端与第一引导层相连接；所述第一腔体的外壁与第二引导层可滑动的连接在一起；所述第二腔体的外壁与防溅出层可滑动的连接在一起；所述第一引导层、所述第二引导层和所述防溅出层为环形的圆锥面；所述防溅出层和所述第二引导层的底部连接在一起，且所述第一引导层和第二引导层可引导清洗介质分别流入第一腔体和第二腔体。

进一步地，所述防溅出层上连接有调节机构，所述调节机构可上下移动。

其中，所述卡盘机构包括：卡盘上部、卡盘下部、推动立柱、卡爪和卡盘底座，所述卡爪用于固定硅片，所述推动立柱的上端穿过卡盘下部、卡盘底座与卡盘上部相连接，且所述推动立柱可推动卡盘上部向上移动。

优选地，所述硅片清洗装置还包括升降机构，设置在所述下腔体内并位于所述卡盘机构的下侧，所述升降机构包括：升降驱动单元、滑动轴和盘状机构，滑动轴的上端与盘状机构相连接、下端与升降驱动单元相连接；所述升降驱动单元位于所述下腔体外，可带动滑动轴和与滑动轴相连接的盘状机构上下移动；所述透气腔体和所述遮挡部沿所述滑动轴的周向设置。

进一步地，所述喷嘴包括正面喷嘴和背面喷嘴，所述正面喷嘴位于待清洗的硅片的上侧，所述正面喷嘴向硅片正面喷洒清洗介质，所述背面喷嘴向硅片背面喷洒清洗介质。

(三)有益效果

本实用新型的上述技术方案具有如下优点：本实用新型提供的硅片清洗装置包括下腔体、卡盘机构、旋转驱动机构、喷嘴和通风机构，所述卡盘机构用于支撑并固定待清洗的硅片；所述旋转驱动机构可驱动所述卡盘机构转动；所述喷嘴向待清洗硅片表面喷洒清洗介质，对待清洗硅片进行清洗；在清洗硅片时，由工艺腔体上方风机过滤单元向硅片清洗装置中吹入的气体，可通过下腔体内设置的通风机构以及工艺腔体各层之间缝隙排出，使得硅片周围的流场良好，能够解决因腔体内部气流紊乱、流场不良而导致的硅片背面污染、清洗不彻底的问题，可有效地提升硅片清洗的质量和硅片清洗的效率。

附图说明

本实用新型上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本实用新型一个实施例所述的硅片清洗装置用第二腔体回收清洗介质的剖视结构示意图；

图2是本实用新型一个实施例所述的硅片清洗装置安装硅片时的剖视结构示意图；