[实用新型]硅片清洗装置有效
申请号: | 201420618571.7 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN204216011U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 姬丹丹;张豹;王锐廷;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 郝瑞刚 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 装置 | ||
1.一种硅片清洗装置,包括:
下腔体(11);
卡盘机构,位于所述下腔体(11)内,所述卡盘机构用于支撑并固定待清洗的硅片(2);
旋转驱动机构,所述旋转驱动机构为环形定子(13),其通电后与卡盘基座(动子)之间产生变化的磁场,驱动卡盘机构旋转;
喷嘴,所述喷嘴向待清洗的硅片(2)表面喷洒清洗介质,对待清洗的硅片(2)进行清洗;其特征在于:所述下腔体(11)的内部设置有通风机构,所述通风机构位于所述卡盘机构的下侧,所述通风机构包括透气腔体(141)和遮挡部(142),所述透气腔体(141)为环形,其上侧的腔壁上设置有透气孔(143);
所述遮挡部(142)位于所述透气孔(143)的上侧并覆盖所述透气孔(143),且所述遮挡部(142)与透气腔体(141)之间设有间隙;
所述透气腔体(141)的腔壁上还设置有排气管(144),所述排气管(144)的上表面高于所述透气腔体(141)的底壁。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于:所述下腔体(11)的底壁上开设有第一排液口(111),所述透气腔体(141)的底壁上开设有第二排液口(112),进入下腔体(11)内的清洗介质通过所述第一排液口(111)和/或所述第二排液口(112)排出。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于:还包括清洗介质收集机构,所述清洗介质收集机构为上端开口环形的工艺腔体(15),所述工艺腔体(15)设置有多个。
4.根据权利要求3所述的硅片清洗装置,其特征在于:所述工艺腔体(15)设置有两个,分别为第一腔体(151)和第二腔体(152),所述第二腔体(152)位于所述第一腔体(151)的外侧,所述第二腔体(152)的外侧还开设有排气孔。
5.根据权利要求4所述的硅片清洗装置,其特征在于:所述第一腔体(151)内壁的上端与第一引导层(153)相连接;所述第一腔体(151)的外壁与第二引导层(154)可滑动的连接在一起;所述第二腔体(152)的外壁与防溅出层(155)可滑动的连接在一起;所述第一引导层(153)、所述第二引导层(154)和所述防溅出层(155)为环形的圆锥面;
所述防溅出层(155)和所述第二引导层(154)的底部连接在一起,且所述第一引导层(153)和第二引导层(154)可引导清洗介质分别流入第一腔体(151)和第二腔体(152)。
6.根据权利要求5所述的硅片清洗装置,其特征在于:所述防溅出层(155)上连接有调节机构(156),所述调节机构(156)可上下移动。
7.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于:所述卡盘机构包括:卡盘上部(121)、卡盘下部(122)、推动立柱(123)、卡爪(125)和卡盘底座(124),所述卡爪(125)用于固定待清洗的硅片(2),所述推动立柱(123)的上端穿过卡盘下部(122)、卡盘底座(124)后与卡盘上部(121)相连接,且所述推动立柱(123)可推动卡盘上部(121)向上移动。
8.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于:还包括升降机构,设置在所述下腔体(11)内并位于所述卡盘机构的下侧,所述升降机构包括:升降驱动单元(162)、滑动轴(161)和盘状机构(163),滑动轴(161)的上端与盘状机构(163)相连接、下端与驱动装置(162)相连接;
所述升降驱动单元(162)位于所述下腔体(11)外,可带动滑动轴(161)和与滑动轴(161)相连接的盘状机构(163)上下移动;
所述透气腔体(141)和所述遮挡部(142)沿所述滑动轴(161)的周向设置。
9.根据权利要求9所述的硅片清洗装置,其特征在于:所述喷嘴包括正面喷嘴(17)和背面喷嘴(18),所述正面喷嘴(17)位于待清洗的硅片(2)的上侧,所述正面喷嘴(17)向硅片正面喷洒清洗介质,所述背面喷嘴(18)向硅片背面喷洒清洗介质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造