[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体可以涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

低温多晶硅(LTPS：Low Temperature Poly-Silicon)技术是新一代的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)显示装置制造工艺，LTPS TFT显示装置具有更快的响应时间，更高的分辨率，因此具有更佳的画面显示品质。在形成显示装置外围的电路时使用LTPS技术，能够减少集成电路(IC)，简化显示装置的外围，进而实现窄边框技术。

LTPS技术虽然得到大力发展，但是LTPS TFT仍然存在漏电流(leakage Current)无法有效抑制以及产生热量过大的问题。其中，LTPS TFT产生热量过大的问题是由于LTPS TFT在水平方向电场较大，电子在电场加速的作用下，引起碰撞电离所导致的。LTPS TFT产生热量过大会导致以下几方面的影响：过多的热导致晶格散射，造成玻璃基板中如钠金属扩散至有源区，从而影响LTPS TFT的阈值电压(Vth)；在饱和区产生负阻现象，使得载流子迁移率与导通电流下降；长期的影响会导致LTPS TFT特性恶化，影响产品品质。

通过研究发现，在LTPS TFT的有源区采用轻掺杂漏区(LDD：Lightly Doped Drain)的结构设置，可有效降低LTPS TFT热量的产生，且LTPS TFT的漏电流也随着降低。这是因为，由于LDD的阻值相对较高，等效于串联了一个阻值较大的电阻，因此降低了LTPS TFT水平方向的电场强度，改善了LTPS TFT沟道电场分布，从而降低电场加速引起的碰撞电离产生的热载流子的几率，同时有效抑制漏电流的产生。

但是，现有技术存在一个技术矛盾点，即当LDD长度过短时，LDD失去了降低热量产生以及抑制漏电流的效果，而当LDD过长时，增加LTPS TFT功率的消耗，并影响了显示装置的开口率。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及显示装置，从而可在确保开口率的前提下，有效降低低温多晶硅薄膜晶体管的热量产生以及有效抑制多晶硅薄膜晶体管的漏电流。

本实用新型提供方案如下：

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括：

基板之上依次设置的有源层、栅绝缘层以及栅电极层，其中，所述有源层在水平方向上依次设置有第一重掺杂区、第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区、第二重掺杂区。

优选的，所述第二低掺杂区设置于所述有源层水平方向上的中间位置。

优选的，所述栅电极层的图案在阵列基板上的投影区域，覆盖于所述第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区在阵列基板上的投影区域。

优选的，所述栅电极层包括第一栅电极图案和第二栅电极图案；

所述第一栅电极图案在阵列基板上的投影区域，覆盖所述第一非掺杂区在阵列基板上的投影区域；

所述第二栅电极图案在阵列基板上的投影区域，覆盖所述第二非掺杂区在阵列基板上的投影区域。

优选的，所述阵列基板还包括：

设置于基板与有源层之间的第一绝缘层。

优选的，所述阵列基板还包括：

设置于所述栅绝缘层以及栅电极层之上的第二绝缘层；

设置于所述第二绝缘层之上的源漏电极层，所述源漏电极层中包括源电极线和漏电极线，其中，所述源电极线通过贯穿所述第二绝缘层和栅绝缘层中的第一过孔与所述第一重掺杂区电连接，所述漏电极线通过贯穿所述第二绝缘层和栅绝缘层的第二过孔与所述第二重掺杂区电连接；

设置于所述源漏电极层之上的钝化层；

设置于所述钝化层之上的像素电极层，所述像素电极层通过设置于所述钝化层中的第三过孔与所述漏电极线电连接。

优选的，所述阵列基板还包括：

设置于所述钝化层和像素电极层之上的保护层；

设置于所述保护层之上的公共电极层。

优选的，所述第一低掺杂区、第二低掺杂区和第三低掺杂区的长度为1至3微米，低掺杂区离子注入浓度为5至30ions/厘米²。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置具体可以包括上述本实用新型实施例提供的阵列基板。