[实用新型]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板之上依次设置的有源层、栅绝缘层以及栅电极层，其中，所述有源层在水平方向上依次设置有第一重掺杂区、第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区、第二重掺杂区。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二低掺杂区设置于所述有源层水平方向上的中间位置。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极层的图案在阵列基板上的投影区域，覆盖于所述第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区在阵列基板上的投影区域。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极层包括第一栅电极图案和第二栅电极图案；

所述第一栅电极图案在阵列基板上的投影区域，覆盖所述第一非掺杂区在阵列基板上的投影区域；

所述第二栅电极图案在阵列基板上的投影区域，覆盖所述第二非掺杂区在阵列基板上的投影区域。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置于基板与有源层之间的第一绝缘层。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置于所述栅绝缘层以及栅电极层之上的第二绝缘层；

设置于所述第二绝缘层之上的源漏电极层，所述源漏电极层中包括源电极线和漏电极线，其中，所述源电极线通过贯穿所述第二绝缘层和栅绝缘层中的第一过孔与所述第一重掺杂区电连接，所述漏电极线通过贯穿所述第二绝缘层和栅绝缘层的第二过孔与所述第二重掺杂区电连接；

设置于所述源漏电极层之上的钝化层；

设置于所述钝化层之上的像素电极层，所述像素电极层通过设置于所述钝化层中的第三过孔与所述漏电极线电连接。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置于所述钝化层和像素电极层之上的保护层；

设置于所述保护层之上的公共电极层。

8.如权利要求1至7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一低掺杂区、第二低掺杂区和第三低掺杂区的长度为1至3微米，低掺杂区离子注入浓度为5至30ions/厘米²。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。