[实用新型]一种自动快速甩干晶片的装置有效
申请号: | 201420596523.2 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN204167275U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 易德福;吴城 | 申请(专利权)人: | 易德福 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 100000 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 快速 晶片 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体晶片清洗、干燥技术领域,具体地是涉及一种自动快速甩干晶片的装置。
背景技术
随着半导体行业在中国的发展以及对半导体晶片的要求,晶片向着尺寸大、厚度薄的方向发展,为使晶片表面平整、无损伤,多采用有蜡抛光的技术进行抛光。抛光过程中会投加大量药剂,抛光完成之后晶片表面附着的大量具有较强的腐蚀性的药水,因此需将晶体表面的药水快速冲洗干净,而且从抛光药液中挥发出来的少量氧化性气体逸到空气中,使晶片在表面附着的纯水的界面上与空气中氧化性气体发生反应,使晶片表面被腐蚀,严重影响晶片质量。因此需将抛光后的晶片快速冲洗干净,且快速脱水。但是现有技术并未对此问题有足够的重视,因而也没有采取有效的措施来实现对半导体晶片的快速冲洗和脱水。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种可以实现对半导体晶片的快速冲洗和脱水的自动快速甩干晶片的装置。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种自动快速甩干晶片的装置,包括桶体,所述桶体内设有陶瓷盘支架,所述陶瓷盘支架上设有陶瓷盘固定机构,所述陶瓷盘支架通过托架旋转轴固定并在所述托架旋转轴的带动下旋转,所述托架旋转轴通过支撑柱固定在所述桶体上,所述桶体的下表面设有一导流平面,所述桶体侧面设有一集水槽,所述集水槽下方设有排水口,所述桶体上方设有一桶盖,所述桶盖顶部中心位置设有喷水-抽气系统,所述喷水-抽气系统包括多个导向管道和设置于每一所述导向管道上的阀门。
进一步地所述导流平面为中心向上突起,边缘向下凹陷的结构,且所述导流平面沿着远离所述集水槽的方向其平面高度逐渐增高。
进一步地所述桶盖四周设有密封圈。
进一步地所述集水槽为一带弧形凹槽结构,且所述凹槽结构向所述桶体外侧凸出,所述弧形由所述凹槽结构一侧向桶内延伸。
进一步地所述导向管道倾斜设置在所述桶盖顶部的中心位置。
进一步地还包括供电动力系统,所述供电动力系统驱动所述托架旋转轴转动。
进一步地所述导向管道的数量为四个。
采用上述技术方案,本实用新型至少包括如下有益效果:
本实用新型所述的自动快速甩干晶片的装置,设计的导流平面利于清洗废水的收集。桶盖顶部设有喷水系统,利于水流全面覆盖晶片,桶盖顶部设有抽风系统,利于晶片表面迅速干燥。采用喷水-抽气系统为同一装置,设计和操作简单,节约空间,简化装置。侧壁设有集水槽,根据动力力学原理,便于离心水分的收集。集水槽下设有排水口,利于污水收集排出,保护晶片和环境。
附图说明
图1为本实用新型所述的自动快速甩干晶片的装置的结构示意图;
图2为本实用新型所述的桶盖仰视图;
图3为本实用新型所述的喷水-抽气系统的安装示意图;
图4为本实用新型所述的集水槽的正视图。
其中:1.桶体2.陶瓷盘支架,3.托架旋转轴,4.支撑柱,5.导流平面,6.集水槽,7.排水口,8.桶盖,9.喷水-抽气系统。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1至图4所示,为符合本实用新型的一种自动快速甩干晶片的装置,包括桶体1,所述桶体1内设有陶瓷盘支架2,所述陶瓷盘支架2上设有陶瓷盘固定机构,所述陶瓷盘支架2通过托架旋转轴3固定并在所述托架旋转轴3的带动下旋转,所述托架旋转轴3通过支撑柱4固定在所述桶体1上,所述桶体1的下表面设有一导流平面5,所述桶体1侧面设有一集水槽6,所述集水槽6下方设有排水口7,所述桶体1上方设有一桶盖8,所述桶盖8顶部中心位置设有喷水-抽气系统9,所述喷水-抽气系统9包括多个导向管道和设置于每一所述导向管道上的阀门。采用喷水系统和抽气系统为同一结构,通过阀门控制其开合,通过注入液体或者抽出气体来实现喷水和抽气的功能。由于所述导向管道和所述阀门的设置为本领域技术人员的公知常识,故此处不再赘述。
优选地所述导流平面5为中心向上突起,边缘向下凹陷的结构,且所述导流平面5沿着远离所述集水槽6的方向其平面高度逐渐增高。如此设置有利于污水沿着所述导流平面5流向所述排水口7。
优选地所述桶盖8四周设有密封圈,通过所述密封圈的设置可以保证整个装置在工作时处于密封状态。
优选地所述集水槽6为一带弧形凹槽结构,且所述凹槽结构向所述桶体1外侧凸出,所述弧形由所述凹槽结构一侧向桶内延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造