[实用新型]一种高导热结构LED芯片有效
| 申请号： | 201420596088.3 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN204144322U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 左友斌;杨建山 | 申请（专利权）人： | 厦门英诺尔电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导热 结构 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高导热结构LED芯片，其特征在于，包括基板和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底面向基板一侧设有N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层连接另一侧表面依次设有P半导体层和P电极；
所述N电极通过第一导热金属层与基板连接，所述P电极通过第二导热金属层与基板连接，所述第一导热金属层、第二导热金属层、发光层、P半导体层、P电极和N电极的裸露外表面设有绝缘材料层。
2.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度为150-250微米，所述P半导体层的厚度为1-5微米，N半导体层的厚度为1-5微米，所述P电极的厚度为0.1-0.8微米，所述N电极的厚度为0.1-0.8微米，所述第一导热金属层的厚度为10-600微米，所述第二导热金属层的厚度为10-600微米。
3.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述绝缘材料为绝缘树脂。
4.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述第一导热金属层和第二导热金属层的材质为铜。
5.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的材质为AU。
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