[实用新型]一种切割钳

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体工艺设备技术领域，特别是涉及一种切割钳。

背景技术

在半导体技术领域中，利用半导体制程工艺制造半导体器件时，由于半导体制程工艺中会引入一些金属微粒或者由于制程缺陷，会导致一些半导体存在缺陷，因此需要对半导体器件进行失效分析，以确定制造的半导体器件是否为合格产品。而对半导体器件进行失效分析的第一步即为切割取样。

在现有技术中，对待失效分析样品进行切割取样的方法为：首先，如图1所示，在确定晶圆11上的样品12后，使用直尺13对准所述样品12的一侧，使用钻石刀14沿着所述直尺13靠近所述样品12的边缘在所述晶圆11表面划刻出划痕；而后使用钳子(未示出)沿划痕夹断所述所述晶圆12；其次，如图2所述，将所述直尺13对准所述样品12的另一侧，使用钻石刀14沿着所述直尺13靠近所述样品12的边缘在所述晶圆11表面划刻出划痕；而后使用钳子(未示出)沿划痕夹断所述所述晶圆12；最后，如图3所示，在完成前两步切割后，所述晶圆11剩下包含所述样品12的长条形，重复前两步切割步骤，将所述样品12沿图3中虚线所述位置切割下来。

然而，上述切割过程中存在很多问题：1.当所要切割的样品12比较小时，使用直尺13对样品12进行定位对准的精度太低，在切割的过程中容易切偏，从而损坏样品12；2.如图2所示，当晶圆11表面上有多个需要取样的样品12时，两个样品12之间的间距又比较小，在对其中一个样品12进行切割时，直尺13极易对其他样品12造成污染；3.在整个切割的过程中，钻石刀14划刻后会产生粉末，这些粉末在划刻的过程中会落在样品12的表面，对样品12造成污染；4.整个切割过程需要先使用钻石刀14进行划刻，然后再使用钳子将晶圆11夹断，整个操作步骤繁琐，且由于样品12在切割的过程中容易被粉末等污染，在切割完成后还需要对样品12进行清洗，使得切割样品的过程耗时太长，影响工作效率。

鉴于此，有必要设计一种新的切割钳用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种切割钳，用于解决现有技术中由于在样品所在的正面进行划切切割，极易对样品表面造成污染；切割精度太低，容易损坏样品；以及切割过程操作步骤繁琐，影响工作效率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种切割钳，适于切割晶圆表面的样品，所述切割钳包括钳头，所述钳头包括上齿和下齿，所述切割钳还包括：激光发射装置，所述激光发射装置位于所述上齿内，适于发射激光束与所述样品对准，以限定所述切割钳的切割路径；切割装置，位于所述上齿和所述下齿之间，包括划刻单元和固定轴；其中，所述固定轴的一端与所述下齿转动连接，另一端与所述划刻单元相连接。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述激光发射装置为激光笔。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述划刻单元为切割轮。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述切割轮为钻石刀轮。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述固定轴设有划刻单元的一端还设有容纳槽，所述划刻单元的中心固定在所述容纳槽两侧的内壁上。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述激光发射装置的位置与所述划刻单元的位置上下对应。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述激光发射装置位于所述上齿在宽度方向的中部，所述划刻单元位于所述下齿在宽度方向的中部。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述下齿内还设有一凹槽，所述凹槽的开口朝向所述上齿，适于当所述上齿与所述下齿闭合时部分容纳所述切割装置；所述固定轴一端连接于所述凹槽两侧的内壁上。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述切割装置还包括一弹性装置，所述弹性装置一端固定于所述凹槽底部，另一端与所述固定轴相连接；所述上齿与所述下齿闭合将所述切割装置压置于所述凹槽内时，所述弹性装置被压紧。

作为本实用新型的切割钳的一种优选方案，所述上齿下表面与所述划刻单元相对应的位置设有一硌齿，所述下齿上表面的两侧各设有一硌齿。