[实用新型]半导体芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体芯片封装结构。

背景技术

传统的半导体芯片封装方式一般是通过高温高压将在常温下是固态的封装材料融化注入模具并重新快速固化成型（5~50秒）的封装工艺方法。该种封装方式在加工过程中，被封装产品需要承受较高的温度与压力，如果需要封装的产品本身不能承受高温高压，就不能使用该种固态材料封装方式。利用常温下为液态的环氧封装材料，低压注入模具，并使用烘烤固化可以解决被封装材料本身不耐高温高压的缺点，但是液体的环氧封装材料的玻璃态转化温度（Tg）较低，固化后环氧封装材料的强度低，容易受到高低温突变（如回流焊接、高低温冲击等）影响，发生表面突起，开裂等异常状况，影响封装品质。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种解决上述技术问题的半导体芯片封装结构。

其中，本实用新型一实施方式的半导体芯片封装结构，包括：

PPTC基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面； 

第一绝缘层，覆盖在所述PPTC基板的上表面上；

第二绝缘层，覆盖在所述PPTC基板的下表面上；

二极管，具有第一电极表面及与所述第一电极表面相背的第二电极表面； 

电连接件；

通孔，由所述第一绝缘层的上表面向下表面延伸，穿透所述第一绝缘层；所述二极管的第一电极表面通过所述通孔与所述PPTC基板电性连接，所述二极管的第二电极表面通过所述电连接件和所述通孔与所述PPTC基板电性连接；

其中，所述封装结构还包括封装材料和玻璃纤维布，所述封装材料覆盖所述PPTC基板的上表面的第一绝缘层、所述二极管及所述电连接件，所述玻璃纤维布包裹所述封装材料及所述PPTC基板的下表面。

作为本实用新型的进一步改进，所述PPTC基板由多个单层的PCT板复合而成。

作为本实用新型的进一步改进，所述通孔在所述第一绝缘层上表面的开口形状可为圆形或正方形，所述通孔的内壁与所述PPTC基板间的角度可为锐角或直角或钝角。

作为本实用新型的进一步改进，所述通孔的内壁上设有导电介质。

作为本实用新型的进一步改进，所述导电介质的材料为铜。

作为本实用新型的进一步改进，所述封装材料为液态环氧树脂。

作为本实用新型的进一步改进，所述液态环氧树脂具有低玻璃态转换温度（Tg）。

作为本实用新型的进一步改进，所述电连接件为金属夹或金属丝。

作为本实用新型的进一步改进，所述二极管各个电极表面是通过表面贴装的方式（SMT）与对应的导体形成电性连接。

与现有技术相比，本实用新型通过预先在模具中加入玻璃纤维布，然后再固化，得到的带有玻璃纤维的封装结构，显著地提高了封装材料环氧树脂的强度，能够很好的解决封装在高低温突变的情况下出现的表面突起，开裂等异常状况。

附图说明

图1是本实用新型封装结构一实施方式中封装结构的侧视结构示意图；

图2是本实用新型封装结构一实施方式中封装方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

如图1所示，在本实用新型一实施方式中，半导体芯片封装结构包括PPTC基板10，该PPTC基板10包括上表面和与该上表面相背的下表面。该PPTC基板10由多个单层的PCT板复合而成。在该PPTC基板10的上表面覆盖有第一绝缘层11，在该PPTC基板10的下表面覆盖有第二绝缘层12。

二极管20，具有第一电极表面21及与所述第一电极表面21相背的第二电极表面22，二极管20采用表面贴装（SMT）的方式置于PPTC基板10的第一绝缘层11上。