[实用新型]多晶硅还原炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅制造技术领域，特别是涉及一种多晶硅还原炉。

背景技术

在生产多晶硅的生产技术中，改良西门子法为主要的生产方法。在生产多晶硅棒的过程中，将三氯氢硅(SiHCl₃)和氢气(H₂)按一定比例混合后通往还原炉反应器内，反应器内设有有用于提供附着体的硅芯。在反应器温度达1000～1200℃时，三氯氢硅被氢气还原后，生成硅并不断附着在硅芯上，最终得到硅棒。

其中，还原炉上安装有用于观察硅芯直径的观察窗，在操作人员观察到其中的硅芯直径大概生长至预定的数值时，进行停车操作。由于操作人员在观察硅芯的直径过程中，只能凭感觉，没有特定的参照，采用上述观察的生产方法生产出来的硅棒的直径误差较大，规格不统一。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种多晶硅还原炉，主要目的在于为操作人员在观察硅芯生长的情况时提供参照物，从而提高制造的成品硅棒精度。

为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

本实用新型的实施例提供一种多晶硅还原炉包括：

炉体、设置在所述炉体内的硅芯支撑组件以及硅芯。

所述炉体上开有用于为操作人员观测所述硅芯生长情况的观察窗。

所述硅芯支撑组件包括：底座、卡瓣以及标尺。

所述卡瓣位于所述底座上。

所述硅芯设置在所述卡瓣上。

所述标尺固定在所述底座上，所述标尺的测量壁位于所述硅芯一侧，为操作人员通过所述观察窗观测所述硅芯的生长情况提供参照。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选的，前述的多晶硅还原炉，其中所述标尺的测量壁距所述硅芯中心线的距离值为所述硅芯生长后的成品硅棒的半径值。

可选的，前述的多晶硅还原炉，其中所述标尺为石墨板，所述石墨板上开有螺纹孔。

所述石墨板通过金属钼制螺钉固定在所述底座的侧壁上。

可选的，前述的多晶硅还原炉，其中所述底座上设有插孔。

所述卡瓣的一端插设在所述底座的插孔内。

所述底座的插孔的直径大于插入所述插孔内的所述卡瓣的一端的直径。

可选的，前述的多晶硅还原炉，其中在所述炉体内的温度达1000～1200℃时，所述卡瓣的一端的直径膨胀至与所述底座的插孔的直径相等。

可选的，前述的多晶硅还原炉，其中所述标尺的测量壁与所述硅芯并排设置在所述炉体上的观察窗前方，使所述标尺的测量壁与所述硅芯侧壁之间的间隙从所述观察窗向所述操作人员显露。

借由上述技术方案，本实用新型多晶硅还原炉至少具有下列优点：

本实用新型提出的多晶硅还原炉的炉体上开有用于为操作人员观测所述硅芯生长情况的观察窗，所述硅芯设置在所述硅芯支撑组件的卡瓣上，在炉体内的硅芯支撑组件底座上固定有标尺，将所述标尺的测量壁位于所述硅芯一侧。所述操作人员能够将所述标尺作为参照，通过所述观察窗观测所述硅芯与所述标尺的测量壁之间的距离来确定所述硅芯的生长情况，使操作人员能够更加精确的获知所述硅芯的生长现状，从而能够获得精度更高的由硅芯生长而成的成品硅棒，提高了制造出的成品硅棒精度。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是本实用新型的实施例提供的一种多晶硅还原炉内部硅芯支撑组件及硅芯的剖视结构示意图；

图2是本实用新型的实施例提供的一种多晶硅还原炉内部硅芯支撑组件及硅芯生长后的成品硅棒的主视结构示意图；

图3是本实用新型的实施例提供的一种多晶硅还原炉内部硅芯支撑组件及硅芯生长后的成品硅棒的俯视结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的多晶硅还原炉其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。