[实用新型]一种MEMS麦克风中的振膜结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种MEMS麦克风，更准确地说，涉及MEMS麦克风中的振膜结构。

背景技术

MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风，其中的振膜、背极板是MEMS麦克风中的重要部件，振膜、背极板构成了电容器并集成在硅晶片上，实现声电的转换。

传统的振膜的制作工艺是在硅基底上做一层氧化层，然后在氧化层上利用沉积的方式制作一层振膜，经过掺杂、回火后，蚀刻出所所需的图形，振膜通过其边缘的铆钉点固定在基底上。当然，还需要从振膜上引出电极，通过振膜的振动，改变振膜与背极板之间的距离，从而将声音信号转换为电信号。

MEMS麦克风有相关的结构强度要求，比如机械冲击、吹气、跌落等性能要求，在这些结构强度的相关性能测试时，往往会在振膜的脆弱点发生撕裂问题，造成整个麦克风的报废，这就需要对振膜的某些特定的部位进行结构补强，但是普通的结构补强都会影响到振膜的灵敏度，不能满足使用的要求。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS麦克风中的振膜结构。

为了实现上述的目的，本实用新型的技术方案是：一种MEMS麦克风中的振膜结构，包括第一振膜，所述第一振膜包括振膜主体，以及设置在振膜主体边缘且与振膜主体一体成型的连接部，还包括与振膜主体连接的引线电极，至少在连接部的表面上沉积一层第二振膜。

优选的是，所述振膜主体为方形，所述连接部为从振膜主体四个角向外延伸的结构。

优选的是，所述振膜主体为圆形，所述连接部为多个沿振膜主体边缘等间距布置的延伸结构。

优选的是，所述振膜主体为圆形，所述连接部为沿振膜主体边缘整体向外延伸出来的环形结构。

优选的是，所述第二振膜从连接部的最外侧边缘起向振膜本体方向延伸，延伸的距离为从连接部最外侧边缘到振膜主体中心的距离的1/8-1/20。

优选的是，所述第二振膜从连接部的最外侧边缘起延伸至距离振膜本体5μm的位置。

优选的是，所述第二振膜从连接部的最外侧边缘起延伸至超越振膜本体5μm的位置。

优选的是，所述第二振膜位于连接部的下方。

本实用新型的振膜结构，包括了第一振膜以及对第一振膜中特定局部位置进行补强的第二振膜，也就是说，使得至少连接部的位置是多层膜设计，增大了该位置的膜厚，从而提高了第一振膜中连接部位的机械强度，避免了撕裂问题的发生。

附图说明

图1、图2示出了本实用新型第一振膜、第二振膜的结构示意图。

图3示出了本实用新型振膜结构的剖面图。

图4、图5示出了本实用新型第二实施中第一振膜、第二振膜的结构示意图。

图6、图7示出了本实用新型第三实施中第一振膜、第二振膜的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案、取得的技术效果易于理解，下面结合具体的附图，对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。

参考图1、图2，本实用新型提供了一种MEMS麦克风中的振膜结构，包括第一振膜，所述第一振膜包括振膜主体1，以及设置在振膜主体1边缘的连接部10，还包括与振膜主体1连接的引线电极11。连接部10和振膜主体1是一体的结构，在制作的时候，沉积一层整膜，然后根据需要，刻蚀出振膜主体1和连接部10的图形，该第一振膜发挥传统振膜的作用，通过连接部10将第一振膜连接在麦克风的封装结构中，与背极板组合在一起，构成了声电转换的电容器结构，并通过引线电极11连接到电路中。

该第一振膜可以是单层多晶硅结构，也可以是多晶硅、氮化硅、多晶硅的复合膜结构。例如可以用低压化学气相沉积的方法依次沉积多晶硅层、氮化硅、多晶硅层，共同构成了振膜层，经过甩胶、光刻、显影、刻蚀等工艺，刻出第一振膜的形状，之后对上层的多晶硅层进行磷或者硼掺杂，形成n型或p型半导体，作为电容器的其中一个电极。

至少在连接部10的表面上沉积一层作为结构补强的第二振膜2，也就是说，作为结构补强的第二振膜2可以只设置在连接部10上，也可从连接部10一直延伸至振膜本体1上。如图3所示,本实用新型的振膜结构，第二振膜2位于连接部10的下方，当然如果工艺允许，还可以设在连接部10的上方。