[实用新型]一种MEMS麦克风中的振膜结构有效
| 申请号： | 201420575885.3 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204119483U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟锦 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R7/00 | 分类号： | H04R7/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 麦克风 中的 膜结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS麦克风中的振膜结构，其特征在于：包括第一振膜，所述第一振膜包括振膜主体，以及设置在振膜主体边缘且与振膜主体一体成型的连接部，还包括与振膜主体连接的引线电极，至少在连接部的表面上沉积一层第二振膜。
2.根据权利要求1所述的振膜结构，其特征在于：所述振膜主体为方形，所述连接部为从振膜主体四个角向外延伸的结构。
3.根据权利要求1所述的振膜结构，其特征在于：所述振膜主体为圆形，所述连接部为多个沿振膜主体边缘等间距布置的延伸结构。
4.根据权利要求1所述的振膜结构，其特征在于：所述振膜主体为圆形，所述连接部为沿振膜主体边缘整体向外延伸出来的环形结构。
5.根据权利要求2至4任一项所述的振膜结构，其特征在于：所述第二振膜从连接部的最外侧边缘起向振膜本体方向延伸，延伸的距离为从连接部最外侧边缘到振膜主体中心的距离的1/8-1/20。
6.根据权利要求5所述的振膜结构，其特征在于：所述第二振膜从连接部的最外侧边缘起延伸至距离振膜本体5μm的位置。
7.根据权利要求5所述的振膜结构，其特征在于：所述第二振膜从连接部的最外侧边缘起延伸至超越振膜本体5μm的位置。
8.根据权利要求1所述的振膜结构，其特征在于：所述第二振膜位于连接部的下方。
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