[实用新型]一种高隔离DC/DC电源

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源领域，更具体地说，涉及一种高隔离DC/DC电源。 

背景技术

目前中高压电力设备中，高隔离电源一般采用高隔离的工频变压器来实现隔离功能，工频变压器再级联开关电源，使工频变压器的输出电压转换成需要的工作电压。另外，在中高压电力设备中，功率单元内的控制电路的电源一般从直流母线取电，再根据该直流母线电压设计控制电路内的开关电源电路。 

然而，对于矿用设备等要求体积紧凑的设备，工频变压器体积过于庞大，甚至还需要为其增加散热设备，就相应地增加了设备的成本。另外，当在中高压电力设备中的功率单元内的控制电路的电源取电于直流母线时，在母线故障情况下，从母线取电的开关电源电路无法正常工作。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对上述问题，提供一种高隔离DC/DC电源。 

本实用新型的技术方案为：提供一种高隔离DC/DC电源，包括变压单元、接于所述变压单元原边的开关单元、接于变压单元副边的整流单元，其特征在于，所述变压单元包括磁环式变压器，且该磁环式变压器包括磁环、初级绕组、次级绕组、第一绝缘材料和第二绝缘材料，其中：所述磁环由所述第一绝缘材料进行封装包裹，且所述初级绕组和所述次级绕组分别缠绕在所述第一绝缘材料上；缠绕有初级绕组和所述次级绕组的磁环由所述第二绝缘材料进行封装灌封。 

在上述一种高隔离DC/DC电源中，所述磁环式变压器还包括外壳，由所述 第二绝缘材料进行封装灌封的缠绕有初级绕组和次级绕组的磁环置于所述外壳内，所述外壳以内的空间均用所述第二绝缘材料进行封装灌封。 

在上述一种高隔离DC/DC电源中，所述开关单元具有直流电源输入接口。 

在上述一种高隔离DC/DC电源中，所述开关单元包括MOSFET Q1和MOSFET Q2，且MOSFET Q1和MOSFET Q2均为N沟道MOSFET。 

在上述一种高隔离DC/DC电源中，所述整流单元包括二极管D1、D2、电感L1，电容C1和电阻R2，所述二极管D1、二极管D2的阳极分别连接至次级绕组的同名端和异名端，所述二极管D1、二极管D2的阴极经过所述电感L1连接并联的电容C1与电阻R2。 

本实用新型的有益效果为：结构简单，能实现高隔离效果，且隔离电压高，体积小，成本低，可用于功率器件内的控制电路的驱动电源，能有效避免母线电压的影响。 

附图说明

图1是本实用新型的高隔离DC/DC电源的结构示意图。 

图2A是本实用新型的高频变压器的工艺示意的截面图。 

图2B是本实用新型的高频变压器的工艺示意的俯视图。 

图3是本实用新型第一实施例的高隔离DC/DC电源的电路图。 

图4是本实用新型第二实施例的高隔离DC/DC电源的电路图。 

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。 

如图1所示，为本实用新型的高隔离DC/DC电源的结构示意图。该高隔离DC/DC电源包括一路输入、一路输出、开关单元、变压单元及整流单元，其中，一路输入为直流电源，且该输入也从控制电源取电；开关单元连接于变压单元的原边，包括至少一个MOSFET，变压单元包括高频变压器，该高频变压器为 磁环式变压器，且该磁环式变压器采用高隔离工艺；整流单元连接于变压单元的副边，包括至少一个整流电路，每一整流电路包括一个二极管、电感、电容和电阻，二极管的阳极连接变压单元的次级绕组，阴极经过电感连接并联的电容和电阻。 

如图2A所示，为本实用新型的高频变压器的工艺示意的截面图。如图2B所示，为本实用新型的高频变压器的工艺示意的俯视图。 

磁环式变压器包括磁环1、初级绕组2、次级绕组3、第一绝缘材料4、第二绝缘材料5和外壳6，其中，磁环1由第一绝缘材料4进行封装包裹，初级绕组2和次级绕组3分别绕在第一绝缘材料4上，位于磁环1的两端，初级绕组2和次级绕组3之间由第二绝缘材料5进行封装灌封，用于隔离磁环与绕组；用第二绝缘材料5将外壳6之内的空白空间进行封装灌封，用于提高变压器的输入、输出及外壳之间的隔离耐压。该变压器还包括骨架，在图中未示出。 

本实用新型的高频变压器采用的高隔离工艺，可以应用于双绕组变压器，也可应用于三绕组变压器。