[实用新型]一种高隔离DC/DC电源有效
| 申请号： | 201420569135.5 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN204103768U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈卫国;曹公正 | 申请（专利权）人： | 苏州汇川技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H01F27/32 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 陆军 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 dc 电源 | ||
1.一种高隔离DC/DC电源，包括变压单元、接于所述变压单元原边的开关单元、接于变压单元副边的整流单元，其特征在于，所述变压单元包括磁环式变压器，且该磁环式变压器包括磁环、初级绕组、次级绕组、第一绝缘材料和第二绝缘材料，其中：所述磁环由所述第一绝缘材料进行封装包裹，且所述初级绕组和所述次级绕组分别缠绕在所述第一绝缘材料上；缠绕有初级绕组和所述次级绕组的磁环由所述第二绝缘材料进行封装灌封。
2.根据权利要求1所述的一种高隔离DC/DC电源，其特征在于，所述磁环式变压器还包括外壳，由所述第二绝缘材料进行封装灌封的缠绕有初级绕组和次级绕组的磁环置于所述外壳内，所述外壳以内的空间均用所述第二绝缘材料进行封装灌封。
3.根据权利要求1或2所述的一种高隔离DC/DC电源，其特征在于，所述开关单元具有直流电源输入接口。
4.根据权利要求1或2所述的一种高隔离DC/DC电源，其特征在于，所述开关单元包括MOSFET Q1和MOSFET Q2，且MOSFET Q1和MOSFET Q2均为N沟道MOSFET。
5.根据权利要求1或2所述的一种高隔离DC/DC电源，其特征在于，所述整流单元包括二极管D1、D2、电感L1，电容C1和电阻R2，所述二极管D1、二极管D2的阳极分别连接至次级绕组的同名端和异名端，所述二极管D1、二极管D2的阴极经过所述电感L1连接并联的电容C1与电阻R2。
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