[实用新型]高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及玻璃镀膜技术领域，尤其涉及一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置。

背景技术

目前，低辐射镀膜玻璃已经广泛应用在建筑领域，其具有传热系数低和反射红外线等特点。透过率的提高，一般采用介电层的增透作用和金属层厚度的降低来实现，但是金属层厚度过低会导致钢化时功能层的氧化，影响镀膜玻璃的光学性能，从而影响了镀膜玻璃的深加工性能。

实用新型内容

本实用新型旨在为了解决镀膜玻璃透过率和镀膜玻璃深加工存在的问题。

为了达成上述目的，本实用新型提供了一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制一层氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制一层银功能层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制一层氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层。所述制备装置在玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一层氧化锌介电层，一层镍铬金属合金层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌锡介电层和一层氮化硅介电层。

一些实施例中，所述氧化钛介电层形成单元采用氧化钛靶镀制，沉积厚度在5～15nm之间，制备氧化钛介电层的氧气与氩气量之比在1：15～20之间，溅射气压在2x10^-3mbar至4x10^-3mbar之间，沉积功率在30～50kw之间。

一些实施例中，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在5～10nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2.5～3之间，溅射气压在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。

一些实施例中，所述氧化锌介电层形成单元采用锌铝合金靶镀制，沉积厚度在5～10nm之间，制备氧化锌介电层的氧气与氩气量之比在1～2：1之间，溅射气压在2x10^-3mbar至4x10^-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。

一些实施例中，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在0.5～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。

一些实施例中，所述银功能层形成单元采用纯银靶镀制，沉积厚度在5～13nm之间，制备银功能层的溅射气体为氩气，溅射气压在1x10^-3mbar至4x10^-3mbar之间，沉积功率在5～15kw之间。

一些实施例中，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在1～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。

一些实施例中，所述氧化锌锡介电层形成单元采用锌锡合金靶镀制，沉积厚度在10～20nm之间，制备氧化锌锡介电层的氧气与氩气量之比在1.5～2.5：1之间，溅射气压在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之间，沉积功率在30～60kw之间。

一些实施例中，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在10～40nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2～3.5之间，溅射气压在2.5x10^-3mbar至5x10^-3mbar之间，沉积功率在10～35kw之间。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是通过离线磁控溅射技术，在浮法玻璃基材表面制备多层膜结构，使其具有较高的透过率和选择系数，对红外区域有高反射的作用，同时能有效的降低玻璃的辐射率。

以下结合附图，通过示例说明本实用新型主旨的描述，以清楚本实用新型的其他方面和优点。

附图说明

结合附图，通过下文的详细说明，可更清楚地理解本实用新型的上述及其他特征和优点，其中：

图1为本实用新型的一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置制备的镀膜玻璃示意图。

具体实施方式