[实用新型]高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置有效
申请号: | 201420565737.3 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN204211647U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 井治;钱宝铎;张超群;罗松松;王程 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;B32B9/04;B32B15/04 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王法男 |
地址: | 200061 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透过 率可钢化低 辐射 镀膜 玻璃 制备 装置 | ||
1.一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置,其特征在于,包括:
氧化钛介电层形成单元,其镀制一层氧化钛介电层;
氮化硅介电层形成单元,其镀制一层氮化硅介电层;
氧化锌介电层形成单元,其镀制一层氧化锌介电层;
镍铬金属合金层形成单元,其镀制一层镍铬金属合金层;
银功能层形成单元,其镀制一层银功能层;
镍铬金属合金层形成单元,其镀制一层镍铬金属合金层;
氧化锌锡介电层形成单元,其镀制一层氧化锌锡介电层;及
氮化硅介电层形成单元,其镀制一层氮化硅介电层,
其中,所述制备装置在玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层,一层氮化硅介电层,一层氧化锌介电层,一层镍铬金属合金层,一层银功能层,一层镍铬金属合金层,一层氧化锌锡介电层和一层氮化硅介电层。
2.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述氧化钛介电层形成单元采用氧化钛靶镀制,沉积厚度在5~15nm之间,制备氧化钛介电层的氧气与氩气量之比在1:15~20之间,溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间,沉积功率在30~50kw之间。
3.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制,沉积厚度在5~10nm之间,制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1:2.5~3之间,溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间,沉积功率在20~40kw之间。
4.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述氧化锌介电层形成单元采用锌铝合金靶镀制,沉积厚度在5~10nm之间,制备氧化锌介电层的氧气与氩气量之比在1~2:1之间,溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间,沉积功率在20~40kw之间。
5.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制,沉积厚度在0.5~5nm之间,制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气,溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间,沉积功率在1~10kw之间。
6.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述银功能层形成单元采用纯银靶镀制,沉积厚度在5~13nm之间,制备银功能层的溅射气体为氩气,溅射气压在1x10-3mbar至4x10-3mbar之间,沉积功率在5~15kw之间。
7.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制,沉积厚度在1~5nm之间,制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气,溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间,沉积功率在1~10kw之间。
8.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述氧化锌锡介电层形成单元采用锌锡合金靶镀制,沉积厚度在10~20nm之间,制备氧化锌锡介电层的氧气与氩气量之比在1.5~2.5:1之间,溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间,沉积功率在30~60kw之间。
9.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置,其特征在于,所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制,沉积厚度在10~40nm之间,制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1:2~3.5之间,溅射气压在2.5x10-3mbar至5x10-3mbar之间,沉积功率在10~35kw之间。
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