[实用新型]一种超高频抗金属电子标签有效
申请号: | 201420560059.1 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN204204007U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 许爱军 | 申请(专利权)人: | 深圳市金瑞铭科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区深南路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高频 金属 电子标签 | ||
技术领域
本实用新型涉及射频识别技术,具体涉及一种超高频抗金属电子标签。
背景技术
电子标签是RFID(射频识别系统)的主要组成单元,是物联网的信息载体。随着射频识别技术的发展,工作于UHF频段(840MHz-960MHz)的各类型电子标签被越来越多地运用于物流管理、仓储管理、资产管理等领域。
UHF RFID标签由两部分组成:一部分为标签芯片;另外一部分为标签天线。如图1所示,电路10为标签天线的等效电路,电路20为标签芯片的等效电路;当标签天线与标签芯片各自阻抗共轭对应时,UHF RFID标签实现最好的阻抗匹配。可以取芯片Alien-Technology-Higgs-3的并联电阻Ri的值等于为1500W,并联电容Ci的值等于0.85pF。采用ADS软件对标签芯片阻抗进行计算。如图2,计算所得芯片阻抗实部随频率分布图,根据阻抗共轭的要求,天线阻抗实部应与芯片阻抗实部相等,才为最佳的阻抗匹配。如图3,计算所得芯片阻抗虚部随频率分布图,根据阻抗共轭的要求,天线阻抗虚部应与芯片阻抗虚部互为相反数(共轭),才为最佳的阻抗匹配。
因一些产品外壳是金属材料做成,传统超高频电子标签在金属表面无法正常工作。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种可解决传统超高频电子标签在金属表面无法正常工作的超高频抗金属电子标签。
一种超高频抗金属电子标签,包括基板,该基板包括上表面和与该上表面相对的下表面,所述超高频抗金属电子标签还包括第一天线、第二天线、第三天线及标签芯片,所述第一天线、第二天线和标签芯片设置于所述基板的上表面,所述标签芯片位于所述第一天线和所述第二天线之间,且与所述第一天线和所述第二天线导电连接;所述第三天线设置于所述基板的下表面,所述第三天线两端分别于与所述第一天线、所述第二天线导电连接,所述第一天线、第二天线及第三天线构成平衡双馈电结构。
进一步地,所述第一天线与所述第二天线以一开缝相隔,且所述第一天线与所述第二天线相对所述开缝相互对称设置,所述标签芯片设置于所述开缝上。
进一步地,所述第一天线与所述第二天线为矩形,所述第一天线与所述第二天线于长度方向上以所述开缝相隔。
进一步地,所述第一天线开设有轴线与所述开缝平行的第一开口和第二开口,所述第一开口和所述第二开口开设于所述第一天线相对的两侧。
进一步地,所述第二天线开设有第三开口和第四开口,所述第三开口与所述第一开口相对所述开缝相互对称,所述第四开口与所述第二开口相对所述开缝相互对称。
进一步地,所述基板设有第一导电过孔和第二导电过孔,所述第一天线相对所述开缝一侧和所述第三天线通过所述第一导电过孔电连接,将所述第二天线相
进一步地,所述第三天线为矩形,所述第三天线于两短边的两端分别开设有第一开孔和第二开孔,所述第一天线于与所述开缝相对的一端开设有第三开孔,所述第二天线于与所述开缝相对的一端开设有第四开孔,所述第一开孔和所述第三开孔与所述第一导电过孔相对并导电连接,所述第二开孔和所述第四开孔与所述第二导电过孔相对并导电连接。
进一步地,所述第一开孔、所述第二开孔、所述第三开孔、所述第四开孔所述、第一导电过孔和所述第二导电过孔均为两个。
进一步地,所述第一天线、第二天线及第三天线表面覆盖有保护涂层。
进一步地,所述第一天线或第二天线上的保护涂层于所述开缝一侧设置有定位标记,所述标签芯片焊接于所述第一天线和第二天线上时其第一引脚与所述定位标记于所述第一天线长度方向上相对。
本实用新型的有益效果是:标签天线采用平衡双馈电结构,增大标签频带宽度,提高标签的灵敏度,实现超高频抗金属标签小尺寸设计下具有卓越性能。采用芯片表面贴片技术,提高标签性能一致性,提高标签生产自动化,减少标签生产所需时间,降低生产成本。
进一步地,标签天线采用过孔回流设计,超高频抗金属标签粘贴金属物品时标签天线与金属物品共地,可增加反射能量,标签粘贴金属时识别距离可以达到3.5米以上。
附图说明
图1为UHF RFID标签中标签芯片的等效电路及标签天线的等效电路;
图2为UHF RFID标签中最佳的阻抗匹配的标签芯片阻抗实部随频率分布图;
图3为UHF RFID标签中最佳的阻抗匹配的标签芯片阻抗虚部随频率分布图;
图4为本实用新型较佳实施例中超高频抗金属电子标签的透视结构示意图;
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