[实用新型]晶圆刻蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺技术领域，更具体地说，涉及一种晶圆刻蚀装置。

背景技术

晶圆是制作硅半导体集成电路所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在采用晶圆制作半导体器件的过程中，为了满足晶圆晶粒的分割以及半导体器件电特性的需求，人们对晶圆沟槽刻蚀均匀性的要求越来越高。

为了使刻蚀后的晶圆的沟槽深度和宽度都达到理想的要求，现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式，来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性，但是，这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长，生产效率较低。

实用新型内容

本实用新型提供了一种晶圆刻蚀装置，以解决现有技术中采用减少一次蚀刻中晶圆数量，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性的方式，生产周期较长，生产效率较低的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种晶圆刻蚀装置，包括：

载体，所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；

位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。

优选的，所述传动装置包括：

位于所述晶圆底部且带动所述晶圆转动的传送带；

带动所述传送带匀速运行的传动轮；

通过传动轴与所述传动轮相连的电机。

优选的，所述电机按照预设速度运行，并带动所述晶圆匀速转动。

优选的，所述传送带、传动轮以及传动轴均为耐酸性材质。

优选的，所述载体为铁氟龙舟。

与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案至少具有以下优点：

本实用新型所提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一个实施例提供的晶圆刻蚀装置结构示意图；

图2为本实用新型的一个实施例提供的传动装置的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式，来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性，但是，这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长，生产效率较低。

基于此，本实用新型提供了一种晶圆刻蚀装置，以克服现有技术存在的上述问题，包括：

载体，所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内 转动；

位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。

本实用新型所提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本实用新型结合示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。