[实用新型]晶圆刻蚀装置有效
| 申请号: | 201420556400.6 | 申请日: | 2014-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN204289403U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
| 发明(设计)人: | 汪良恩;汪曦凌 | 申请(专利权)人: | 安徽安芯电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 247000 安徽省池州市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 装置 | ||
1.一种晶圆刻蚀装置,其特征在于,包括:
载体,所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽,所述晶圆可在所述卡槽内转动;
位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置,所述传动装置带动所述晶圆匀速转动,使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述传动装置包括:
位于所述晶圆底部且带动所述晶圆转动的传送带;
带动所述传送带匀速运行的传动轮;
通过传动轴与所述传动轮相连的电机。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述电机按照预设速度运行,并带动所述晶圆匀速转动。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述传送带、传动轮以及传动轴均为耐酸性材质。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述载体为铁氟龙舟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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