[实用新型]发光装置

说明书

技术领域

本实用新型的实施方式涉及一种发光装置。

背景技术

例如，有一种半导体发光元件安装在陶瓷基板上，且通过树脂将半导体发光元件密封的发光装置(Chip On Board，板上芯片封装)。在此种发光装置中，希望提高可靠性。

专利文献1：日本特开2012-84733号公报

发明内容

本实用新型的实施方式的目的在于提供一种可靠性高的发光装置。

实施方式的发光装置具备陶瓷基板、金属部件、接合层。陶瓷基板在第一主面以及第二主面形成有金属层，且在第一主面的金属层安装有半导体发光元件。金属部件由金属制成且安装于第二主面侧。接合层接合第二主面侧的金属层和金属部件。接合层具备：第一合金接合层、第二合金接合层、异种金属层。第一合金接合层接合于第二主面侧的金属层。第二合金接合层接合于金属部件。第一合金接合层以及第二合金接合层由以锡为主要成分的合金制成。异种金属层设置于第一合金接合层与第二合金接合层之间且由与陶瓷基板和金属部件这两者不同的金属制成。

根据本实用新型的实施方式能够提供一种可靠性高的发光装置。

附图说明

图1是第1实施方式所涉及的发光装置的示意俯视图。

图2是第1实施方式所涉及的发光装置的陶瓷基板的示意背面图。

图3是例示沿图1中的III-III线的剖面的局部的剖视图。

图4是例示沿图1中的IV-IV线的剖面的局部的剖视图。

图5是示意性地表示第1实施方式所涉及的发光装置的接合层的结构的俯视图。

图6是示意性地表示第1实施方式所涉及的发光装置的接合层等的结构的剖视图。

图7是示意性地表示第1实施方式所涉及的发光装置的框体的局部的剖视图。

图8是第2实施方式所涉及的发光装置的示意俯视图。

图9是例示沿图8中的IX-IX线的剖面的局部的剖视图。

图10是例示沿图8中的X-X线的剖面的局部的剖视图。

图11是例示实施方式的变形例1所涉及的发光装置的剖面的局部的剖视图。

图12是例示实施方式的变形例2所涉及的发光装置的剖面的局部的剖视图。

图13是例示实施方式的变形例3所涉及的发光装置的剖面的局部的剖视图。

图14是例示实施方式的变形例4所涉及的发光装置的剖面的局部的剖视图。

图15是例示实施方式的变形例5所涉及的发光装置的剖面的局部的剖视图。

图中：1、1-1、1-2、1-3、1-4、1-5：发光装置，10：陶瓷基板，10a：第一主面，10b：第二主面，11：第一金属层(金属层)，12：第二金属层(金属层)，20：半导体发光元件，50：框体(金属部件)，51：基部，52：散热片，52a：空间，53：槽，55、55-1、55-2、55-3、55-3a、55-3b、55-4，55-5、55-5a、55-5b：热导管，56、56-1、56-2、56-3、56-4、56-5：容纳槽(容纳用空间)，56-4a：容纳孔(容纳用空间)，60：接合层，61：第一合金接合层，62：第二合金接合层，63：异种金属层，63a：外缘，64、65：化合物层，T:接合层的厚度，TC:化合物层的厚度，TD：异种金属层的厚度。

具体实施方式

在以下说明的第1实施方式、第2实施方式以及变形例1～变形例5所涉及的发光装置1具备：陶瓷基板10、金属部件50、接合层60。陶瓷基板10在第一主面10a以及第二主面10b形成有金属层11、12且在第一金属层11上安装有半导体发光元件20。金属部件50由金属制成且安装于第二主面10b侧。接合层60接合第二主面10b侧的第二金属层12和框体50。接合层60具备：第一合金接合层61、第二合金接合层62、异种金属层63。第一合金接合层61接合于第二金属层12。第二合金接合层62接合于金属部件50。合金接合层61、62由以锡为主要成分的合金制成。异种金属层63设置于合金接合层61、62之间且由与陶瓷基板10和金属部件50的这两者不同的金属制成。

并且，在以下说明的第1实施方式、第2实施方式以及变形例1～变形例5所涉及的发光装置1中，异种金属层63的热膨胀系数为陶瓷基板10的热膨胀系数和金属部件50的热膨胀系数之间的值，且导热系数在所述合金的导热系数以上。