[实用新型]半导体器件

说明书

本申请基于日本专利申请No.2013-196874，其内容通过引用被合并在此。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，并且，例如，涉及一种可适用于具有晶体管和互连的半导体器件的技术。

背景技术

当半导体芯片被使用时，要求通过接合线等等将半导体芯片连接到诸如引线端子的外部端子。

与使用接合线的半导体器件有关的技术包括，例如，在日本未经审查的专利公开No.2000-133730中公开的技术。在日本未经审查的专利公开No.2000-133730中，双极晶体管和单极晶体管被形成在半导体芯片中。相同的导线在多个点处被连接到与双极晶体管的发射极电极连接的互连。另外，相同的导线在多个点处被连接到与单极晶体管的漏电极连接的互连。日本未经审查的专利公开No.2000-133730公开了，随着导线的连接点的数目增加，晶体管的响应的延迟时间被缩短。

另一方面，最近已经开发了使用化合物半导体层作为沟道的晶体管。这样的晶体管具有导通电阻低的特征。

同时，日本未经审查的专利公开No.2009-206140和日本未经审查的专利公开No.2011-210771公开了：在具有绝缘栅双极晶体管(IGBT)的半导体器件中，导线在多个点处被连接到IGBT的表面电极。

在具有晶体管的半导体器件中，要求降低导通电阻。这样的导通电阻包括由晶体管引起的分量和由互连引起的分量。发明人已经研究降低由互连引起的电阻分量。根据本说明书的描述和附图其它问题和新颖的特征将会变得更加清楚。

实用新型内容

在一个实施例中，半导体器件包括第一晶体管单元、第二晶体管单元、以及第三晶体管单元。这些晶体管单元被依次并排地布置在第一方向上，并且都包括栅电极在第一方向上延伸的多个晶体管。第一互连在第一晶体管单元和第二晶体管单元之间延伸，第二互连在第一晶体管单元介于中间的情况下在第一互连的相反侧延伸，第三互连在第二晶体管单元和第三晶体管单元之间延伸，并且第四互连在第三晶体管单元介于中间的情况下在第三互连的相反侧延伸。第一互连被连接到第一晶体管单元的多个晶体管的源电极和第二晶体管单元的多个晶体管的源电极。第二互连被连接到第一晶体管单元的多个晶体管的漏电极。第三互连被连接到第二晶体管单元的多个晶体管的漏电极和第三晶体管单元的多个晶体管的漏电极。第四互连在第二方向上延伸，并且被连接到第三晶体管单元的多个晶体管的源电极。半导体器件包括第一接合构件、第二接合构件、第三接合构件、以及第四接合构件。第一接合构件在多个点处被连接到第一互连，第二接合构件在多个点处被连接到第二互连，第三接合构件在多个点处被连接到第三互连，并且第四接合构件在多个点处被连接到第四互连。

根据实施例，在具有晶体管的半导体器件中，能够减小由互连引起的电阻分量。

附图说明

结合附图，从某些优选实施例的下面的描述中，本实用新型的以上和其它目的、优点以及特征将会更加显而易见，其中：

图1是图示根据第一实施例的半导体器件的配置的平面图。

图2是沿着图1的线A-A’截取的横截面图。

图3是图示接合线被连接到漏极互连所在的点的图。

图4是图示晶体管单元的配置的平面图。

图5是图示图4的横截面B-B’的第一示例的图。

图6是图示图4的横截面B-B’的第二示例的图。

图7是图示图4的横截面B-B’的第三示例的图。

图8是图示图4的横截面B-B’的第四示例的图。

图9是图示图4的横截面B-B’的第五示例的图。

图10是沿着图4的线C-C’的横截面图。

图11是图示根据第二实施例的半导体器件的配置的平面图。

图12是图示根据第三实施例的半导体器件的配置的平面图。

图13是图示图12的修改示例的图。

图14是图示根据第四实施例的半导体器件的配置的平面图。

图15是沿着图14中示出的半导体器件的线D-D’截取的横截面图。

图16是图示根据第五实施例的半导体器件的配置的图。

图17是图示根据第六实施例的电子设备的配置的图。

图18是图示图17的修改示例的图。

具体实施方式

在此现在参考说明性实施例描述本实用新型。本领域的技术人员将会认识到，为了解释性目的，使用本实用新型的教导能够完成许多替代性实施例并且本实用新型不限于实施例。