[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201420551883.0 申请日: 2014-09-24
公开(公告)号: CN204216038U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 三浦喜直;中村卓;团野忠敏 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

衬底;和

第一晶体管单元、第二晶体管单元、以及第三晶体管单元,所述第一晶体管单元、所述第二晶体管单元、以及所述第三晶体管单元被形成在所述衬底中并且在第一方向上被依次并排地布置,

其中,所述第一晶体管单元、所述第二晶体管单元、以及所述第三晶体管单元都包括多个晶体管,在所述多个晶体管中,栅电极在所述第一方向上延伸,

所述半导体器件进一步包括:

第一互连,所述第一互连在与所述第一方向相交的第二方向上在所述第一晶体管单元和所述第二晶体管单元之间延伸,并且被连接到所述第一晶体管单元的所述多个晶体管的源电极和所述第二晶体管单元的所述多个晶体管的源电极;

第二互连,所述第二互连在所述第一晶体管单元介于所述第二互连和所述第一互连之间的情况下位于所述第一互连的相反侧,在所述第二方向上延伸,并且被连接到所述第一晶体管单元的所述多个晶体管的漏电极;

第三互连,所述第三互连在所述第二方向上在所述第二晶体管单元和所述第三晶体管单元之间延伸,并且被连接到所述第二晶体管单元的所述多个晶体管的漏电极和所述第三晶体管单元的所述多个晶体管的漏电极;

第四互连,所述第四互连在所述第三晶体管单元介于所述第四互连和所述第三互连之间的情况下位于所述第三互连的相反侧,在所述第二方向上延伸,并且被连接到所述第三晶体管单元的所述多个晶体管的源电极;

第一接合构件,所述第一接合构件在多个点处被连接到所述第一互连;

第二接合构件,所述第二接合构件在多个点处被连接到所述第二互连;

第三接合构件,所述第三接合构件在多个点处被连接到所述第三互连;以及

第四接合构件,所述第四接合构件在多个点处被连接到所述第四互连。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一接合构件、所述第二接合构件、所述第三接合构件、以及所述第四接合构件是接合线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述衬底是矩形的,并且

其中,当在平面图中看时,

所述第一接合构件和所述第四接合构件从所述衬底的第一边延伸到所述衬底的外部,并且

所述第二接合构件和所述第三接合构件从所述衬底的面对所述第一边的第二边延伸到所述衬底的外部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,当连接点的数目被设定为n并且连接到所述接合构件的互连的长度被设定为L时,

所述第一接合构件、所述第二接合构件、所述第三接合构件、以及所述第四接合构件中的每一个被构造使得在所述连接点之间的间隔是L/n,并且

在最接近所述互连的端部的连接点与所述互连的所述端部之间的间隔是L/(2n)。

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