[实用新型]紫外线固化装置有效
| 申请号: | 201420547288.X | 申请日: | 2014-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN204088281U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
| 发明(设计)人: | 黄涛;唐丽贤 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 紫外线 固化 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种紫外线固化装置。
背景技术
在40nm以下半导体工艺中,在晶圆表面进行氧化物沉积以后,一般需要对晶圆上的氧化物层进行紫外线固化(UV curing),以改变氧化物层的应力结构,在固化的过程中所述氧化物层会被减薄。所述固化的具体方法是用紫外线固化装置对晶圆表面进行照射。
如图1所示,现有的紫外线固化装置包括紫外光源10、腔体20和透光隔板21,腔体20位于紫外光源10的下方。所述透光隔板21位于所述腔体20的顶部,能够将所述紫外光源10发出的光透射进所述腔体20;腔体20的内部具有承载台22,用以放置晶圆23。紫外光源10发出的紫外光1透过透光隔板21而照射到晶圆23的表面,达到对晶圆23表面氧化物固化减薄,以改变其应力结构的目的。
然而,发明人发现,通常情况下紫外光源并不能提供完全均匀的光照,即无法给晶圆23表面的所有部分提供同样的光强,使得晶圆23表面的特定部分会接受到更多紫外光1的照射,直接导致晶圆特定部分区域的氧化物层被过多地固化,厚度小于其它区域。如此,经固化后的晶圆表面会出现不平整的情况,导致后续的生产受到影响。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是晶圆表面在进行紫外线固化后出现的不平整情况。基于此,本实用新型提供一种的紫外线固化装置,包括:
紫外光源;
腔体,设置于所述紫外光源的下方;
用于承载被照射物的承载台,设置于所述腔体内部;
用于将所述紫外光源发出的光透射进所述腔体的透光隔板,设置于所述腔体顶部;以及
用于部分阻挡所述紫外光源发出的光的抗紫外线层,设置于所述透光隔板上。
可选的,所述紫外光源包括一转盘和设置于所述转盘上的灯管。
可选的,所述灯管的数量为两根,互相平行排列。
可选的,所述抗紫外线层为圆形,设置于所述透光隔板表面的中部。
可选的,所述抗紫外线层的厚度从其中部到周围递减。
可选的,所述透光隔板为石英窗片。
可选的,所述腔体的侧面设置有开口和挡板,所述挡板可活动地连接所述开口。
可选的,所述被照射物为沉积氧化物后的晶圆。
相比于现有技术,本实用新型的紫外线固化装置包括紫外光源和腔体,还包括设置在腔体表面且能够透射所述紫外光源发出光的透光隔板,以及腔体内部用于承载被照射物的承载台。另外,由于紫外光源通常无法提供完全均匀照射的紫外光,因此在透光隔板上增加抗紫外线层,减弱部分区域被照射到的紫外光,使得被照射物表面得到均匀的固化。
附图说明
图1为现有技术中紫外线固化装置的结构图。
图2为本实用新型一实施例所述紫外线固化装置的结构图。
图3为本实用新型一实施例所述紫外线固化装置的紫外光源结构图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
在现有的紫外线固化装置中,鉴于紫外光源易导致经固化后的晶圆表面会出现不平整的现象,发明人想到将照射到晶圆表面的紫外光部分减弱。如图2所示,本实用新型的紫外线固化装置包括紫外光源100和腔体200和透光隔板210,腔体200设置于紫外光源100的下方。所述透光隔板210位于所述腔体200的顶部,能够将所述紫外光源100发出的光透射进所述腔体200,腔体200的内部具有承载台220,用于承载被照射物230。透光隔板210的主要作用是将下方腔体200中的承载台220和外界隔离开来,使被照射物230处于真空状态而不被污染。所述腔体200上具有开口240和挡板241,所述开口240设置于腔体200的侧面,用于放入和取出被照射物230;所述挡板241可活动地连接开口240,通过挡板241的移动实现开口240的开启和关闭,优选方案中,挡板241沿着平行于腔体200侧面的方向上下滑动。在所述紫外线固化装置开始工作之前,开启挡板241并放入被照射物230,之后关闭挡板241,使得被照射物230被密封在所述腔体200中之后,再开启紫外光源100进行照射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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