[实用新型]一种碳化硅化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，更具体地说，涉及一种碳化硅化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积技术(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下以一定的流量和流速通过化学气相沉积室，并在瞬间热解生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。目前，化学气相沉积技术已被广泛应用于生产碳-碳、碳-碳化硅、碳化硅-碳化硅等复合材料，而这些复合材料在航天、航空、交通等领域正发挥着重要作用。

随着社会的发展、技术的进步，对化学气相沉积材料的工艺精度有了更高的要求，而化学气相沉积是一个连续反应过程，因此对充入气体的精确计量则显得尤为重要。但是，现有的化学气相沉积设备主要采用体积流量计来控制充入化学气相沉积室内的工艺气体的量，而气体的体积是温度和压力的函数，容易受到环境的影响，因此仅采用体积流量计难以对充入气体的量进行精确控制，无法满足高精度工艺需求，对制品的最终性能产生不利的影响。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种碳化硅化学气相沉积设备，以实现对工艺气体的量进行精确控制。

本实用新型提供一种碳化硅化学气相沉积设备，包括：

化学气相沉积室；

与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道；

与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道，所述工艺气体进气管道包括：与所述化学气相沉积室相通的混合装置，分别与所述混合装置相连通的第一工艺气体进气管道、第二工艺气体进气管道、第三工艺气体进气管道和第四工艺气体进气管道；

所述第一工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器；所述第二工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器；所述第三工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器；所述第四工艺气体进气管道上依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。

优选地，所述混合装置与所述化学气相沉积室之间设置有质量流量控制器。

优选地，所述第四工艺气体进气管道包括：载气进气管和与所述载气进气管相通的沉积源存储装置，所述沉积源存储装置与所述混合装置相通；

所述体积流量计和质量流量控制器设置在所述载气进气管和沉积源存储装置之间。

优选地，所述化学气相沉积室包括：化学气相沉积腔体；设置在所述化学气相沉积腔体周围的气体分配箱；与所述气体分配箱连通的多个气体喷嘴，所述气体喷嘴与化学气相沉积腔体相连；

所述气体分配箱与所述混合装置相连通。

优选地，所述气体分配箱通过质量流量控制器与所述混合装置相连通。

本实用新型提供的碳化硅化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积室；与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道；与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道，所述工艺气体进气管道包括：与所述化学气相沉积室相通的混合装置，分别与所述混合装置相连通的第一工艺气体进气管道、第二工艺气体进气管道、第三工艺气体进气管道和第四工艺气体进气管道；所述第一工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器；所述第二工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器；所述第三工艺气体进气管道依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器；所述第四工艺气体进气管道上依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。与现有技术相比，本实用新型首先采用体积流量计对每一路工艺气体的流量实现初步控制，再采用质量流量控制器对各路工艺气体的流量实现精确控制，从而实现了碳化硅化学气相沉积工艺的高精度控制，制得的产品性能稳定、可靠，同时该设备还具有结构简单、操作方便、便于维修等诸多优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型提供的碳化硅化学气相沉积设备的结构示意图；

图2为实施例1提供的碳化硅化学气相沉积设备的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型的核心在于提供一种碳化硅化学气相沉积设备，以实现对工艺气体的量进行精确控制，从而得到性能稳定可靠的化学气相沉积成品。