[实用新型]用于再熔焊料沉积物的装置有效

专利信息
申请号: 201420503101.6 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN204088280U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 加西姆·阿兹达什;S·塔布里兹 申请(专利权)人: 派克泰克封装技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 熔焊 沉积物 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种用于再熔焊料沉积物的装置,所述焊料沉积物配置在晶圆的端子面上,所述装置包括:晶圆匣盒,其具有上下叠置配置的晶圆接收件,用于在水平定向上接收晶圆;炉,其具有用于接收晶圆的炉室;水平输送装置,其用于从晶圆匣盒移除晶圆,在水平输送平面中朝向炉输送晶圆并且将晶圆配置在炉室中;以及竖直输送装置,其用于将晶圆接收件配置在水平输送装置的输送平面中。

背景技术

在专业术语中通常称为芯片封装的可接合芯片(bondable chip)的生产需要多个生产步骤,其中,芯片的制备大部分发生在晶圆层级,即芯片在从晶圆分离之前被配置在一片式结构中。

首先,在芯片的端子面上生产专业术语中也称为凸点下金属化层(under bump metallizations,即UBM)的接触金属化层(contact metallization),所述接触金属化层用作随后涂敷的焊料沉积物所用的底漆,所述焊料沉积物惯常地形成为焊球并且被再熔成焊料凸点,一旦芯片从晶圆结构分离,就可以允许各个芯片与其他电子部件接触。

焊料沉积物在回流处理中被再熔,在回流处理中,在端子面上设置有焊料沉积物的晶圆在炉室中经受充分高的温度,所述温度通常为大约300℃至350℃,使得通过焊料在端子面上形成半月形接触高点,所述接触高点在专业术语中也被称为焊料凸点。

在用于生产前述的接触金属化层的晶圆的处理中,晶圆在所谓的批量操作中已经被处理过,在批量操作中,限定数量的晶圆被配置在晶圆匣盒中,各个晶圆被逐个地从所述匣盒移除,经历不同的处理步骤,并且当处理完成时以具有完工的接触金属化层的状态最后被再次配置在晶圆匣盒中。同样地,在批量操作中发生在晶圆的端子面上形成为焊球的焊料沉积物的后续配置,所以也是在这里,各个晶圆被逐个地从晶圆匣盒移除,设置有焊料沉积物然后被再次配置在晶圆匣盒中。

实用新型内容

本实用新型的目的是允许基于待处理的晶圆在晶圆匣盒中的配置的批量操作也可以用于配置在晶圆的端子面上的焊料沉积物的再熔,即也可以用于焊料凸点的生产。

本实用新型的目的通过具有如下特征的装置实现。

本实用新型提供用于再熔焊料沉积物的装置,所述焊料沉积物配置于晶圆的端子面上,所述装置包括:晶圆匣盒,其具有上下叠置地配置的晶圆接收件,用于在水平定向上接收晶圆;炉,其具有用于接收晶圆的炉室;水平输送装置,其用于从所述晶圆匣盒移除晶圆,在水平输送平面中朝向所述炉输送所述晶圆,并且将所述晶圆配置在所述炉室中;以及竖直输送装置,其用于将所述晶圆接收件配置于所述水平输送装置的所述输送平面中。

根据本实用新型的装置允许借助于水平输送装置从晶圆匣盒移除单个晶圆并且允许将晶圆配置在炉室中,使得晶圆随后能够在炉室中经受再熔焊料沉积物所需的热能。于是,晶圆能够由水平输送装置从炉室中移除并且能够被再次配置在晶圆匣盒中,使得在后续的处理中,晶圆匣盒中接收的所有晶圆能够在批量操作中被逐个处理。一旦所有的晶圆已经被处理,就能够将晶圆匣盒从所述装置移除并且由具有尚未被处理的晶圆的另一个晶圆匣盒来代替。

对于将晶圆接收件配置在水平输送装置的输送平面中来说,特别有利地,所述竖直输送装置包括竖直输送器,所述竖直输送器具有用于配置所述晶圆匣盒的匣盒运载器,所述匣盒运载器能够在上匣盒位置和下匣盒位置之间以如下方式竖直地往复移动:在所述上匣盒位置,所述匣盒的最上面的晶圆接收件被配置于所述水平输送装置的所述输送平面,在所述下匣盒位置,所述晶圆匣盒的最下面的晶圆接收件被配置于所述水平输送装置的所述输送平面。

这样设计的竖直输送装置允许将批量操作中的处理所需的竖直输送装置与用于将各个晶圆从晶圆匣盒移除的水平输送装置分开,使得由于所述处理的特质而位于炉和晶圆匣盒之间的空间中的水平输送装置能够形成得尽可能紧凑。以此方式,能够以彼此之间短距离的方式配置炉和晶圆匣盒,使得能够快速地行进过对应的短的输送路径。

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