[实用新型]用于再熔焊料沉积物的装置有效
| 申请号: | 201420503101.6 | 申请日: | 2014-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN204088280U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
| 发明(设计)人: | 加西姆·阿兹达什;S·塔布里兹 | 申请(专利权)人: | 派克泰克封装技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 熔焊 沉积物 装置 | ||
1.一种用于再熔焊料沉积物的装置,所述焊料沉积物配置于晶圆(40)的端子面上,其特征在于,所述装置包括:
-晶圆匣盒(15),其具有上下叠置地配置的晶圆接收件(24-34),用于在水平定向上接收晶圆(40);
-炉(16),其具有用于接收晶圆(40)的炉室(64);
-水平输送装置(17),其用于从所述晶圆匣盒(15)移除晶圆(40),在水平输送平面(55)中朝向所述炉(16)输送所述晶圆(40),并且将所述晶圆(40)配置在所述炉室(64)中;以及
-竖直输送装置(18),其用于将所述晶圆接收件(24-34)配置于所述水平输送装置(17)的所述输送平面(55)中。
2.根据权利要求1所述的用于再熔焊料沉积物的装置,其特征在于,
所述竖直输送装置(18)包括竖直输送器(20),所述竖直输送器(20)具有用于配置所述晶圆匣盒(15)的匣盒运载器(19),所述匣盒运载器(19)能够在上匣盒位置和下匣盒位置之间以如下方式竖直地往复移动:在所述上匣盒位置,所述晶圆匣盒的最上面的晶圆接收件(34)被配置于所述水平输送装置(17)的所述输送平面(55),在所述下匣盒位置,所述晶圆匣盒(15)的最下面的晶圆接收件(24)被配置于所述水平输送装置(17)的所述输送平面(55)。
3.根据权利要求1或2所述的用于再熔焊料沉积物的装置,其特征在于,
所述水平输送装置(17)包括具有输送头(46)的水平输送器(42),所述输送头(46)能够在邻近所述晶圆匣盒(15)的匣盒位置(II)和邻近所述炉(16)的炉位置(I)之间沿着平移轴线(53)水平地往复移动,所述输送头(46)设置有用于配置晶圆(40)的运载臂(51)。
4.根据权利要求3所述的用于再熔焊料沉积物的装置,其特征在于,
所述输送头(46)具有连接到所述水平输送器(42)的基座(49)和经由转动驱动器(47)连接到所述基座(49)的旋转构件(50),所述运载臂(51)安装到所述旋转构件(50)。
5.根据权利要求1或2所述的用于再熔焊料沉积物的装置,其特征在于,
所述炉(16)包括下炉部(60)和上炉部,所述下炉部(60)具有用于配置晶圆(40)的加热板(61),所述上炉部形成为能够竖直地移动的炉盖(62)。
6.根据权利要求5所述的用于再熔焊料沉积物的装置,其特征在于,
所述炉盖(62)包括用于将配置于所述炉室(64)中的晶圆(40)暴露到氮气的供气装置。
7.根据权利要求1或2所述的用于再熔焊料沉积物的装置,其特征在于,
所述炉(16)、所述水平输送装置(17)以及所述竖直输送装置(18)被配置于共用的框架(12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





