[实用新型]倒装形式的芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种倒装形式的芯片封装结构。

背景技术

近年来，由于芯片的微电路制作朝向高集成度发展，因此，其芯片封装也需向高功率、高密度、轻薄与微小化的方向发展。芯片封装就是芯片制造完成后，以塑胶或陶磁等材料，将芯片包在其中，以达保护芯片，使芯片不受外界水汽及机械性损害。

FC(Flip Chip，倒装芯片)是一种小尺寸、高密度的芯片封装技术，相比于传统封装技术，如引线键合，FC直接以有源区面对基板，通过芯片I/O区的凸点(焊球)直接与基板形成互联，大大减少了互联长度，提高了芯片的电性能，同时也减小了封装尺寸，具有更小、更薄的特点。参考图1所示，为一采用现有倒装形式的芯片封装结构示意图，其包括芯片11，基板12，芯片焊垫13，基板焊垫14和焊球15。其中，芯片焊垫位于芯片11的表面，以将芯片的电极性引出；焊球15位于芯片焊垫13和基板焊垫14之间，通过这样的连接关系，将芯片11上的电极性通过基板12引出。

然而在实际应用中，芯片11的I/O区的凸点(焊球)与基板连接过程中，由于适于每个凸点连接的面积极小，影响连接精确性以及连接强度。此外，由于回流过程中焊料的溢流容易造成凸点间短路，影响芯片的电气性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种倒装形式的芯片封装结构。

本实用新型提供的倒装形式的芯片封装结构，包括引线框架和芯片，引线框架的引脚位置设有孔，孔内设有焊料；芯片设有导电柱，导电柱远离芯片的一端位于孔内与焊料焊接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是，引线框架上指定位置形成的孔内印刷焊料，由于孔的存在，连接面积增大，提高凸点与引线框架的连接强度；回流过程中焊料的自对准效应更强，芯片位置更加准确，减少了焊料溢流造成凸点间的短路情况的发生，从而提高了电气性能，降低生产成本。

附图说明

图1为现有倒装形式的芯片封装结构的封装示意图。

图2为本实用新型实施例提供的倒装形式的芯片封装结构的示意图。

图3为本实用新型实施例提供的形成倒装形式的芯片封装结构的流程图。

图4为本实用新型实施例提供的引线框架的剖面图。

图5为本实用新型实施例引线框架上开设通孔的结构示意图。

图6为本实用新型实施例引线框架上开设盲孔的结构示意图。

图7为本实用新型实施例引线框架的通孔内印刷焊料的结构示意图。

图8为本实用新型实施例的倒装形式的芯片的截面图。

图9为本实用新型实施例的倒装形式的芯片连接引线框架的截面图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

图2是本实用新型倒装形式的芯片封装结构的示意图，如图2所示，本实用新型实施例提供的倒装形式的芯片封装结构包括：引线框架10和芯片20；引线框架10的引脚位置设有孔11，孔11内设有焊料12；芯片20设有导电柱21，导电柱21远离芯片20的一端位于孔11内与焊料12焊接。

上述的封装结构中，由于引线框架上孔的存在，焊料回流的自对准效应增强，使得芯片的位置更加准确；在孔所覆盖的区域内焊接，连接面积增大，提高导电柱与引线框架的连接强度；同时焊料回流中减少溢流情况的发生，从而减少凸点间的短路问题，提高了封装芯片的电气性能。

进一步地，孔11为通孔或者盲孔，便于焊料用量的调整。

进一步地，导电柱21为铜柱，便于与焊料焊接。

进一步地，导电柱21与孔11间隙配合，孔的直径稍大于导电柱的直径，使得孔内焊料回流过程中焊料将伸入孔内部分的导电柱紧紧包覆，提高了导电性能级焊接的可靠性。

进一步地，引线框架10与所述芯片之间20留有间隙30，所述间隙30设有填充底料层31，填充底料层31包覆所述导电柱21。

为进一步说明本实用新型封装结构之优点，以下结合一个具体的封装方法实施例对本实用新型封装结构作进一步介绍。

如图3所示，可采用如下方法加工本实用新型提供的倒装形式的芯片封装结构，包括步骤：

S101,在引线框架的引脚位置形成孔；

S102,在上述孔内设置焊料；

S103,将芯片上形成的导电柱与孔对位连接；

S104,进行回流焊将所述导电柱焊接于所述孔内。

首先实施步骤S101，在引线框架的引脚位置形成孔。