[实用新型]显示面板的阵列基板有效
| 申请号: | 201420477541.9 | 申请日: | 2014-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN204029809U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
| 发明(设计)人: | 李逸哲;林映彤 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 阵列 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种显示面板的阵列基板,且特别是涉及一种半导体层转折部具有内外边缘差异的阵列基板。
背景技术
具显示面板的电子产品已是现代人不论在工作处理学习上、或是个人休闲娱乐上,不可或缺的必需品,包括智能型手机(SmartPhone)、平板电脑(Pad)、笔记型电脑(Notebook)、显示器(Monitor)到电视(TV)等许多相关产品。其中又以液晶显示面板最为普遍。由于液晶显示面板在绝大多数应用上具有更简洁、更轻盈、可携带、更低价、更高可靠度、以及让眼睛更舒适的功能,已经广泛地取代了阴极射线管显示器(CRT),成为最广泛使用的显示器,同时提供多样性包括尺寸、形状、分辨率等多种选择。
目前液晶显示面板中,薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)又可区分为非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)和低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)两种技术。其中LTPS TFT的载流子迁移率(mobility)比a-Si TFT高出一百倍(>100cm2/V·s),并且可以在玻璃基板上直接进行CMOS制作工艺。相较于非晶硅TFT-LCD,低温多晶硅TFT-LCD的反应速度较快,并具有高亮度、高开口率、高分辨率和低耗电量等特点。再者,LTPS TFT可进行高密度布局,特点,适合应用于有机电激发光(OLED)面板,可以使高亮度与高画质的OLED更容易实现,且可提高有机发光二极管寿命。
另外,显示面板在制作时除了需注意制作工艺上的细节,例如进行金属层和半导体层等各层图案化时(如光刻和蚀刻)需精确以避免断线,其制得面板也需符合产品要求如电阻、电容等各项规格,使制得的面板具有稳定良好的电子特性。显示面板的设计不良,将造成面板良率下降和可靠度降低的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示面板的一阵列基板,通过对阵列基板上的半导体层的弯折部分的特殊设计,可降低阻值,进而增进应用面板的电性表现,使其具有稳定良好的电子特性。
为达上述目的,本实用新型提出一种阵列基板,包括一基材和位于基材上的一第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管电连接,且第一晶体管与第二晶体管共用一半导体层,半导体层至少包括一第一侧部、一转折部和一底部,转折部连接第一侧部,底部连接转折部。其中,第一侧部的一第一外边缘延伸线与底部的一第二外边缘延伸线及转折部的一第三外边缘之间形成一第一区域。第一侧部的一第一内边缘延伸线与底部的一第二内边缘延伸线及转折部的一第三内边缘形成一第二区域,第一区域的面积小于第二区域的面积。
该第一区域的面积与该第二区域的面积的比例介于0.2到0.7之间。
该转折部的该第三内边缘不平行于该第一侧部的一第一内边缘及该底部的一第二内边缘,该转折部的该第三外边缘不平行于该第一侧部的一第一外边缘及该底部的一第二外边缘。
该第一晶体管具有一栅极,该第一侧部于该栅极上具有一第一宽度W1,该底部具有一第二宽度W2。
该第一宽度W1小于该第二宽度W2。
该转折部具有一第三宽度W3,该第三宽度W3大于(第一宽度W12+第二宽度W22)0.5。
该半导体层包括一扩大部,该扩大部具有一第四宽度W4,该半导体层具有一连接部位于该第一侧部及该扩大部之间,该连接部具有一第五宽度W5,该第五宽度W5大于该第一宽度W1,且该第五宽度W5小于该第四宽度W4。
该半导体层还包括一第二侧部,该底部位于该第一侧部及该第二侧部之间。
该半导体层还包括另一转折部,其两端分别连接该第二侧部和该底部。
该第二侧部的一第四内边缘平行于该第一侧部的该第一内边缘,该第二侧部的一第四外边缘平行于该第一侧部的该第一外边缘。
该半导体层为U形。
该底部的一第二内边缘垂直于该第一侧部的该第一内边缘,该底部的一第二外边缘垂直于该第一侧部的该第一外边缘。
该转折部的该第三外边缘具有一第一曲率r1,该转折部的该第三内边缘具有一第二曲率r2,该第一曲率r1大于该第二曲率r2。
该第一曲率与第二曲率的比例r1/r2介于1.1到2之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





