[实用新型]显示面板的阵列基板有效
| 申请号: | 201420477541.9 | 申请日: | 2014-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN204029809U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
| 发明(设计)人: | 李逸哲;林映彤 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 阵列 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板包括:
基材;
第一晶体管,位于该基材上;以及
第二晶体管,位于该基材上,该第一晶体管与该第二晶体管电连接,且该第一晶体管与该第二晶体管共用一半导体层,该半导体层至少包括:
第一侧部;
转折部,连接该第一侧部;和
底部,连接该转折部;
其中,该第一侧部的一第一外边缘延伸线与该底部的第二外边缘延伸线及该转折部的第三外边缘之间形成一第一区域,该第一侧部的第一内边缘延伸线与该底部的第二内边缘延伸线及该转折部的第三内边缘形成一第二区域,该第一区域的面积小于该第二区域的面积。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该第一区域的面积与该第二区域的面积的比例介于0.2到0.7之间。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该转折部的该第三内边缘不平行于该第一侧部的第一内边缘及该底部的第二内边缘,该转折部的该第三外边缘不平行于该第一侧部的第一外边缘及该底部的第二外边缘。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该第一晶体管具有栅极,该第一侧部于该栅极上具有第一宽度W1,该底部具有第二宽度W2。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,该第一宽度W1小于该第二宽度W2。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,该转折部具有第三宽度W3,该第三宽度W3大于(第一宽度W12+第二宽度W22)0.5。
7.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,该半导体层包括扩大部,该扩大部具有第四宽度W4,该半导体层具有一连接部位于该第一侧部及该扩大部之间,该连接部具有第五宽度W5,该第五宽度W5大于该第一宽度W1,且该第五宽度W5小于该第四宽度W4。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该半导体层还包括第二侧部,该底部位于该第一侧部及该第二侧部之间。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,该半导体层还包括另一转折部,其两端分别连接该第二侧部和该底部。
10.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,该第二侧部的第四内边缘平行于该第一侧部的该第一内边缘,该第二侧部的一第四外边缘平行于该第一侧部的该第一外边缘。
11.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该半导体层实质上为U形。
12.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该底部的第二内边缘垂直于该第一侧部的该第一内边缘,该底部的第二外边缘实质上垂直于该第一侧部的该第一外边缘。
13.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该转折部的该第三外边缘具有第一曲率r1,该转折部的该第三内边缘具有一第二曲率r2,该第一曲率r1大于该第二曲率r2。
14.如权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,该第一曲率与第二曲率的比例r1/r2介于1.1到2之间。
15.一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板包括:
基材;
第一晶体管,位于该基材上;以及
第二晶体管,位于该基材上,该第一晶体管与该第二晶体管电连接,且该第一晶体管与该第二晶体管共用一半导体层,该半导体层至少包括:
第一侧部;
转折部,连接该第一侧部;和
底部,连接该转折部;
其中,该转折部的一第三外边缘具有第一曲率r1,该转折部的第三内边缘具有第二曲率r2,该第一曲率r1大于该第二曲率r2。
16.如权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,该第一曲率与第二曲率的比例r1/r2介于1.1到2之间。
17.如权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,该转折部的该第三内边缘不平行于该第一侧部的第一内边缘及不平行于该底部的第二内边缘,该转折部的该第三外边缘不平行于该第一侧部的第一外边缘及不平行于该底部的第二外边缘。
18.如权利要求15所述的阵列基板,其特征在于,该半导体层还包括第二侧部,该底部位于该第一侧部及该第二侧部之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420477541.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构
- 下一篇:一种平面光学耦合器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





