[实用新型]准谐振控制方式的开关电源装置有效
申请号: | 201420457611.4 | 申请日: | 2014-08-14 |
公开(公告)号: | CN204258602U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 栗原爱季 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振 控制 方式 开关电源 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及能够降低开关损耗和开关噪声的准谐振方式的开关电源装置。
背景技术
作为开关电源装置的控制方式之一,已知准谐振控制方式。该方式检测在开关元件的截止期间内在漏极产生的自由振动的电压下降而成为谷底电压的情况,并在该时机使开关元件导通,从而降低接通时的开关损耗和噪声,已知在专利文献1记载的内容。
该开关电源装置由与变压器的一次绕组连接的一次侧电路、与变压器的二次绕组连接的二次侧电路、与变压器的辅助绕组连接并检测回扫期间后的自由振动的谷底电压以控制开关元件的控制电路构成。
专利文献1日本特开平8-289543号公报
另外,在生产这种开关电源装置的情况下,通常将电路的一部分置换为半导体集成电路,并搭载于小型封装上,以提升量产化效率。
然而,在现有的开关电源装置中,为了检测谷底电压而设置变压器的辅助绕组,在半导体集成电路上需要用于与辅助绕组直接连接的专用端子。
因此,难以搭载于端子数较少的小型封装上。此外,需要连接用于检测在变压器的辅助绕组产生的电压的周边部件,因而存在妨碍低成本化的问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种通过简单的结构来降低开关损耗和开关噪声的准谐振控制方式的开关电源装置。
根据本实用新型的一个方面,本实用新型的准谐振控制方式的开关电源装置的特征在于,具有:开关元件,其在栅极与漏极的端子间具有电容性耐压结构;检测部,其与所述电容性耐压结构连接,对在所述栅极与漏极的端子间产生的回扫期间后的电 压自由振动的时机进行检测;以及驱动部,其与所述检测部连接,根据所述时机输出驱动信号。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述电容性耐压结构以等效电路观察时,至少具有在所述栅极与所述漏极的端子间串联连接的第1电容元件和第2电容元件。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述检测部连接于所述第1电容元件与所述第2电容元件之间的连接点。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述开关元件具有第1导电类型的半导体区域、形成于所述半导体区域内的第2导电类型的第1半导体层、形成于所述第1半导体层内的第1导电类型的第2半导体层、在所述半导体区域内以离开所述第1半导体层的方式形成的第1导电类型的第3半导体层和形成于所述第1半导体层上的栅绝缘膜,所述漏极与所述第3半导体层连接。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述电容性耐压结构具有在所述半导体区域上的所述第1半导体层与所述第3半导体层之间形成的至少1个导电层。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述检测部与所述至少1个导电层连接。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述开关元件与所述检测部和所述驱动部形成于同一个半导体基板上。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述开关元件是所述开关电源装置的主开关元件。
根据本实用新型的所述一个方面的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,所述开关元件是包含于起动电路的开关元件。
根据本实用新型,能够提供一种通过简单的结构来降低开关损耗和开关噪声的准谐振控制方式的开关电源装置。
附图说明
图1是表示本实用新型的第1实施方式的开关电源装置的结构的电路图。
图2是表示本实用新型的第1实施方式的第1开关元件的结构的剖面图。
图3是表示本实用新型的第2实施方式的开关电源装置的结构的电路图。
符号说明
1 半导体区域
2 第1半导体层
3 第2半导体层
4 第3半导体层
5 栅绝缘膜
6 栅电极
7 第1绝缘层
10 第1场电极层
11 第2绝缘膜
12 第2场电极层
Tr 变压器
Cr 谐振电容器
M1 第1模块
M2 第2模块
CNT1 第1控制部
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