[实用新型]准谐振控制方式的开关电源装置有效
申请号: | 201420457611.4 | 申请日: | 2014-08-14 |
公开(公告)号: | CN204258602U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 栗原爱季 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振 控制 方式 开关电源 装置 | ||
1.一种准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,具有:
开关元件,其在栅极与漏极的端子间具有电容性耐压结构;
检测部,其与所述电容性耐压结构连接,对在所述栅极与漏极的端子间产生的回扫期间后的电压自由振动的时机进行检测;以及
驱动部,其与所述检测部连接,根据所述时机输出驱动信号。
2.根据权利要求1所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述电容性耐压结构以等效电路观察时,至少具有在所述栅极与所述漏极的端子间串联连接的第1电容元件和第2电容元件。
3.根据权利要求2所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述检测部连接于所述第1电容元件与所述第2电容元件之间的连接点。
4.根据权利要求3所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述开关元件具有第1导电类型的半导体区域、形成于所述半导体区域内的第2导电类型的第1半导体层、形成于所述第1半导体层内的第1导电类型的第2半导体层、在所述半导体区域内以离开所述第1半导体层的方式形成的第1导电类型的第3半导体层和形成于所述第1半导体层上的栅绝缘膜,所述漏极与所述第3半导体层连接。
5.根据权利要求4所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述电容性耐压结构具有在所述半导体区域上的所述第1半导体层与所述第3半导体层之间形成的至少1个导电层。
6.根据权利要求5所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述检测部与所述至少1个导电层连接。
7.根据权利要求6所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述开关元件与所述检测部和所述驱动部形成于同一个半导体基板上。
8.根据权利要求7所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述开关元件是所述开关电源装置的主开关元件。
9.根据权利要求7所述的准谐振控制方式的开关电源装置,其特征在于,
所述开关元件是包含于起动电路的开关元件。
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