[实用新型]复合掩膜板、复合掩膜板组件有效
申请号: | 201420427240.5 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN204325516U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 孙尚传 | 申请(专利权)人: | 安徽省大富光电科技有限公司 |
主分类号: | C25D1/10 | 分类号: | C25D1/10;C23C14/04;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 233000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 掩膜板 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及掩膜板制造技术领域,特别是涉及一种复合掩膜板、复合掩膜板组件。
背景技术
OLED有机发光二极管又称为有机电激光显示(Organic Electroluminecence Display,OLED)。OLED发光原理是在透明阳极与金属阴极间蒸镀有机薄膜,注入电子与电洞,并利用其在有机薄膜间复合,将能量转成可见光。并且可搭配不同的有机材料,发出不同颜色的光,来达成全彩显示器的需求。由于OLED同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。OLED生产过程中最重要的一环节是将有机层按照驱动矩阵的要求敷涂到基层上,形成关键的发光显示单元。OLED是一种固体材料,其高精度涂覆技术的发展是制约OLED产品化的关键。目前完成这一工作,主要采用真空沉积或真空热蒸发(VTE)的方法,其是将位于真空腔体内的有机物分子轻微加热(蒸发),使得这些分子以薄膜的形式凝聚在温度较低的基层上。在这一过程中需要与OLED发光显示单元精度相适应的高精密掩模板组件作为媒介。OLED器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜,薄膜的质量关系到器件质量和寿命。在高真空腔室中设有多个放置有机材料的蒸发舟,加热蒸发舟蒸镀有机材料,并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。ITO玻璃基层放置在可加热的旋转样品托架上,其下面放置的金属掩膜板控制蒸镀图案。
现有技术的掩膜板通过蚀刻或者镭射技术产生掩膜图案,蚀刻技术会导致掩膜图案中的开口尺寸大小受到限制,从而限制最终OLED产品的分辨率,而镭射技术产生掩膜图案时花费的时间较长导致掩膜板的制造效率较低。
因此,需要提供一种复合掩膜板、复合掩膜板组件,以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种复合掩膜板、复合掩膜板组件,可以解决现有技术中蚀刻工艺制造掩膜板导致的OLED产品的分辨率受到限制以及镭射工艺制造掩膜板导致的制造效率低的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的一种技术方案是:提供一种复合掩膜板,其中,该复合掩膜板包括支撑片材以及在支撑片材的第一表面通过电铸工艺生长出的掩膜图案,其中掩膜图案具有多个第一开口,支撑片材的与第一表面相对的第二表面形成有多个第二开口,第二开口与第一开口连通,进而形成掩膜通道。
其中,掩膜图案包括依次层叠在第一表面的结合层、第一加厚层、抗蚀层以及第二加厚层。
其中,结合层为冲击镍,第一加厚层和第二加厚层为加厚镍。
其中,结合层的厚度为0.5微米以下,第一加厚层的厚度0.3微米~1.0微米之间,第二加厚层的厚度在2微米~4微米之间,抗蚀层的厚度为0.5微米~3微米。
其中,第一开口的宽度小于第二开口的宽度,且每一第二开口连通至少一个第一开口。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的另一种技术方案是:提供一种复合掩膜板组件,其中,该复合掩膜板组件包括外框和固定在外框上的复合掩膜板,复合掩膜板包括支撑片材以及在支撑片材的第一表面通过电铸工艺生长出的掩膜图案,其中掩膜图案具有多个第一开口,支撑片材的与第一表面相对的第二表面形成有多个第二开口,第二开口与第一开口连通,进而形成掩膜通道。
其中,掩膜图案包括依次层叠在第一表面的结合层、第一加厚层、抗蚀层以及第二加厚层。
其中,结合层为冲击镍,第一加厚层和第二加厚层为加厚镍。
本实用新型的有益效果是:区别于现有技术的情况,本实用新型通过在支撑片材上采用电铸工艺生长出掩膜图案,由于电铸工艺成型速度快,使得掩膜板的生产效率更高,且电铸工艺能够使得掩膜图案上的第一开口尺寸可以做的更小,掩膜图案更加精细,从而可以提高最终的OLED产品的分辨率。
附图说明
图1是本实用新型复合掩膜板的制造方法的流程图;
图2是图1中步骤S12和S13的具体步骤流程图;
图3是本实用新型在支撑片材的第一表面形成第一光阻层的示意图;
图4是本实用新型对第一光阻层进行曝光处理的示意图;
图5是本实用新型去除第一光阻区且保留第二光阻区的示意图;
图6是本实用新型生长掩膜图案的示意图;
图7是本实用新型生长掩膜图案的具体结构示意图;
图8是本实用新型去除第二光阻区的示意图;
图9是本实用新型在支撑片材的第二表面形成第二光阻层的示意图;
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