[实用新型]一种低阻抗的石英晶体谐振器

说明书

技术领域

本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域，具体涉及一种低阻抗的石英晶体谐振器。

背景技术

石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，随着科技的发展和生活水平的提高，人们对电子产品不断追求质量轻、体积小、外观美等优点的产品。而石英晶体谐振器的压电效应能够为电子产品提供稳定的时钟信号。为满足现工业生产要求，石英晶体谐振器自身体积也不断缩小，才能与智能化的电子产品完美结合。石英晶体谐振器在智能电子领域的作用如：1.手机的通话、摄像、卫星定位等功能；2.汽车的引擎控制；3.电子手表的计时功能等。从中体现出晶体扮演着不可缺少的重要角色。

为满足石英晶体谐振器能正常稳定起振，对于各项电学参数要求特别高，如阻抗。现有的小型石英晶体谐振器的阻抗偏大，阻抗不良品高，生产效益低。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种低阻抗的石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器的阻抗不良品低，生产效益高。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种低阻抗的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层，基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体分别通过第一导电胶、第二导电胶与基座粘接固定，第一导电胶和第二导电胶的高度均为40-60μm，晶片本体的底面与第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为10-30μm。

其中，所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为40-50μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为20-30μm。

其中，所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为50μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为30μm。

其中，所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为45μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为25μm。

其中，所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为40μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为20μm。

其中，所述上镀膜层、侧面镀膜层、下镀膜层均为镀银层，镀银层的厚度为3500-4500埃。

其中，所述镀银层与所述晶片本体之间设置有镀铬层。

其中，所述镀铬层的厚度为40~50埃。

其中，所述上镀膜层中部开设有刻蚀层，刻蚀层的长边与所述上镀膜层的长边之间的距离为0.25-0.40mm，刻蚀层的短边与上镀膜层的短边之间的距离为0.20-0.35mm。

其中，所述晶片本体呈双凸形，晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过将第一导电胶和第二导电胶的高度均设置为40-60μm，晶片本体的底面与第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离设置为10-30μm，能降低晶片本体的阻抗，减少阻抗不良品，提高生产效益；可大幅度减少阻抗不良4.61%以上，与同一工单的阻抗均值比较，改善后可下降4.3Ω。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的结构示意图。

图2是本实用新型实施例一的局部结构示意图。

图3是本实用新型实施例一所述晶片本体的剖视图。

图4是本实用新型实施例二的结构示意图。

图5是本实用新型实施例三所述晶片本体的俯视图。

图6是本实用新型实施例三所述晶片本体的主视图。

图7是本实用新型实施例三所述晶片本体的右视图。

附图标记为：1—晶片本体、2—基座、11—上镀膜层、111—刻蚀层、12—侧面镀膜层、13—下镀膜层、14—镀铬层、141—第一涂覆区域、142—第二涂覆区域、151—第一导电胶、152—第二导电胶。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-7对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。