[实用新型]一种低阻抗的石英晶体谐振器

权利要求书

1.一种低阻抗的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、侧面以及下表面分别设置有上镀膜层、侧面镀膜层和下镀膜层，其特征在于：基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体分别通过第一导电胶、第二导电胶与基座粘接固定，第一导电胶和第二导电胶的高度均为40-60μm，晶片本体的底面与第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为10-30μm。

2.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为40-50μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为20-30μm。

3.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为50μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为30μm。

4.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为45μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为25μm。

5.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为40μm，所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为20μm。

6.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上镀膜层、侧面镀膜层、下镀膜层均为镀银层，镀银层的厚度为3500-4500埃。

7.根据权利要求6所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述镀银层与所述晶片本体之间设置有镀铬层。

8.根据权利要求7所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述镀铬层的厚度为40~50埃。

9.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上镀膜层中部开设有刻蚀层，刻蚀层的长边与所述上镀膜层的长边之间的距离为0.25-0.40mm，刻蚀层的短边与上镀膜层的短边之间的距离为0.20-0.35mm。

10.根据权利要求1所述的一种低阻抗的石英晶体谐振器，其特征在于：所述晶片本体呈双凸形，晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm。