[实用新型]电子束蒸镀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种使用了电子束的蒸镀装置。

背景技术

使用了电子束的蒸镀装置通过向配置在真空容器内的坩埚内的材料照射用规定电压加速了的电子来对所述材料进行加热，使坩埚内的材料蒸发，并且使蒸发了的材料附着在配置于真空容器内的、作为被蒸镀构件的基板的表面，由此形成薄膜。

由于所述蒸镀装置能对多种材料进行高速成膜，所以适合于各种用途，因向坩埚内的材料照射电子束而产生的二次电子和反射电子入射到成膜部，有时会引起成膜部的组成变化。特别是在有机器件的成膜工序中对基板进行电子束蒸镀时，有时因所述二次电子和反射电子而使有机薄膜表面的组成变化，从而导致作为有机器件的特性下降。

为了抑制二次电子和反射电子，公知的有例如专利文献1。专利文献1中公开了如下内容：在基板和坩埚相对的空间内，以使磁场的方向为横向的方式相对配置一对电磁体，并且在基板的附近设置探针，边观察流过该探针的电子电流边调整针对一对电磁体的励磁电流。

但是，在所述专利文献1中，如果考虑磁体对电子束偏转磁场的干扰，则需要以不影响电子束偏转的方式在磁体和电子束之间设置规定的距离，不得不将磁体设置成靠近基板，但是由于在坩埚和基板相对的空间内由一对磁体形成磁场区域，所以磁体本身成为屏蔽物，从而限制了蒸镀范围，因此专利文献1公开的技术难以应用于例如G2～G4尺寸的大型玻璃基板。

此外，即使从坩埚直接向基板入射的二次电子和反射电子能够被磁体屏蔽，但是存在因磁场区域而从基板方向偏转的二次电子和反射电子由于被真空容器的内壁等反射而绕过磁场区域并且到达基板的可能性，所以存在仅通过一对磁体不能完全屏蔽向基板成膜面入射的电子的问题。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开平5-156428号

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：用于在基板和坩埚相对的空间内形成磁场区域的磁体本身成为屏蔽物从而限制了能够蒸镀的范围，并且防止二次电子和反射电子向基板入射的效果差。

本实用新型提供一种电子束蒸镀装置，其形成磁场，并且使被加速后的电子照射而被加热从而蒸发了的材料附着在基板表面，由此形成薄膜，所述磁场对产生的电子向所述基板的入射进行屏蔽，使蒸镀材料的收容容器位于进行蒸镀的所述基板的下方，在比所述收容容器的中心靠向所述基板的中心方向的上方空间，夹着所述收容容器的中心且隔开规定的间隔配置有一对磁体，并且所述一对磁体配置成：各个磁体的基板中心侧的端部比另一个端部向下方倾斜。

所述本实用新型的电子束蒸镀装置通过以与使蒸镀材料的收容容器位于进行蒸镀的基板下方对应地形成最佳磁场的方式配置磁体，使磁体不会成为妨碍蒸镀的屏蔽物。

此外，关于磁体的配置，通过夹着收容容器的中心且隔开规定的间隔配置一对磁体，并且将所述一对磁体配置成：使各个磁体的基板中心侧的端部比另一个端部向下方倾斜，由此磁体不会成为蒸镀的妨碍物，此外，能够防止由朝向收容容器照射的电子束产生的二次电子和反射电子直接入射到基板的成膜部。

在所述电子束蒸镀装置中，在所述收容容器的周围设置有接地的电子屏蔽板。如果在收容容器的周围且在不会成为蒸镀屏蔽物的范围内设置接地的电子屏蔽板，则能够通过使二次电子和反射电子通过内壁等流向大地，从而能够抑制二次电子和反射电子入射到基板成膜部。

此外，在所述电子束蒸镀装置中，所述电子束蒸镀装置包括：收容容器升降机构，改变从所述基板的蒸镀面到所述收容容器的收容容器高度；磁体升降机构，改变所述收容容器高度上的所述磁体的倾斜上端的高度；磁体倾斜变更机构，改变所述磁体的倾斜角度；磁体间移动机构，改变所述一对磁体的间隔；以及控制部，基于蒸镀材料种类、基板形状以及由设置在所述基板的转动轨迹的直径相对位置上的电子测量器测量到的电子量，控制所述收容容器升降机构、所述磁体升降机构、所述磁体倾斜变更机构以及所述磁体间移动机构的动作。由于所述电子束蒸镀装置具有所述结构，所以能够基于蒸镀材料种类、基板形状以及由设置在基板外侧转动轨迹的直径相对位置上的电子测量器测量到的电子量，将磁体配置在最佳位置上。