[实用新型]一种发光二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管可以将电能转化为光能。与传统的照明器件相比，发光二极管具有工作电压和工作电流低、使用寿命长、可靠性高以及亮度高等特点，其中发光二极管由发光二极管芯片经过芯片封装工艺制备而成。

现有技术中，应用最广泛的发光二极管芯片包括：衬底层、层叠在衬底上的n型掺杂氮化镓层、层叠在n型掺杂氮化镓层上的量子阱层、层叠在量子阱层上的p型掺杂氮化镓层和层叠在p型掺杂氮化镓层上的电流扩散层。在依次层叠的n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层和电流扩散层上刻蚀有一个台阶，台阶由电流扩散层的表面，n型掺杂氮化镓层的表面以及连接电流扩散层的表面与n型掺杂氮化镓层的表面的台阶面构成，在n型掺杂氮化镓层上设有N电极，在p型掺杂氮化镓层表面设有P电极，在台阶上覆盖有保护层。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

由于台阶面与n型掺杂氮化镓层垂直分布，保护层在台阶面上分布不均匀，导电颗粒容易吸附在台阶面上，造成短路、漏电的现象，使得发光二极管的静电防护能力较差。

实用新型内容

为了解决现有技术中发光二极管的静电防护能力较差的问题，本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，包括衬底、n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层、电流扩散层、保护层、N电极和P电极，所述n型掺杂氮化镓层覆盖在所述衬底上，所述量子阱层覆盖在所述n型掺杂氮化镓层上，所述p型掺杂氮化镓层覆盖在所述量子阱层上，所述电流扩散层覆盖在所述p型掺杂氮化镓层上，在所述n型掺杂氮化镓层、所述量子阱层、所述p型掺杂氮化镓层和所述电流扩散层上刻蚀有一个台阶，所述台阶由所述n型掺杂氮化镓层的表面、所述电流扩散层的表面以及连接所述n型掺杂氮化镓层的表面和所述电流扩散层的表面的台阶面构成，所述电流扩散层的中部设有蚀孔，所述P电极安装在所述p型掺杂氮化镓层的表面上且伸出所述蚀孔，所述N电极安装在所述n型掺杂氮化镓层的表面上，所述保护层覆盖在所述台阶上，所述台阶面与所述n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，所述保护层的厚度为600～1000埃。

在本实用新型实施例的一种实现方式中，所述n型掺杂氮化镓层的表面与所述p型掺杂氮化镓层的表面的距离大于所述量子阱层与所述p型掺杂氮化镓层的厚度之和，所述n型掺杂氮化镓层的表面与所述p型掺杂氮化镓层的表面的距离小于所述n型掺杂氮化镓层、所述量子层和所述p型掺杂氮化镓层三层的厚度之和。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述n型掺杂氮化镓层的表面与所述p型掺杂氮化镓层的表面的距离为13000～15000埃。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述蚀孔为圆柱形，在所述蚀孔的内壁均匀分布有6个槽口。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述保护层为二氧化硅保护层。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述电流扩散层为氧化铟锡电流扩散层。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述电流扩散层的厚度为1000～1500埃。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述量子阱层为铟镓氮层。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述量子阱层厚度为30埃。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：在n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层和电流扩散层上刻蚀有一个台阶，且台阶面与n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，使保护层能够均匀的覆盖在发光二极管芯片的台阶面上，对发光二极管能够起到很好的保护作用，能有效避免导电颗粒附着在台阶面上，造成短路以及漏电的现象，有效的提高了发光二极管的静电防护能力，大大提升了LED芯片的可靠性，延长了LED芯片使用寿命；同时，由于台阶面与n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，保护层只要600～1000埃的厚度即可以对台阶实现良好的覆盖降低了保护层的厚度，使得保护层对可见光透过率的影响降到足够小的可能。

附图说明